NM/FI/NI/FI/NM新型双自旋过滤隧道结的隧穿磁电阻

朱林; 陈卫东; 谢征微

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NM/FI/NI/FI/NM新型双自旋过滤隧道结的隧穿磁电阻

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在NM/FI/FI/NM型双自旋过滤隧道结(NM为非磁金属,FI和后面的NI分别为铁磁和非磁绝缘体或半导体)的基础上,提出一种NM/FI/NI/FI/NM新型双自旋过滤隧道结.基于自由电子近似并利用转移矩阵方法,对NM/FI/NI/FI/NM新型双自旋过滤隧道结在不同偏压下的隧穿磁电阻TMR与FI层厚度及NI层厚度的关系做了理论研究.计算结果表明,在NM/FI/NI/FI/NM型双自旋过滤隧道结中仍可以得到很大的TMR值.

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来源
《四川师范大学学报（自然科学版）》|2005年第6期|683-686|共4页
作者
朱林; 陈卫东; 谢征微;
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作者单位

四川师范大学,物理与电子工程学院,四川,成都,610066;

四川师范大学,物理与电子工程学院,四川,成都,610066;

四川师范大学,物理与电子工程学院,四川,成都,610066;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜物理学;
关键词
隧穿磁电阻; 非磁绝缘(半导)体间隔层; 双自旋过滤隧道结;
入库时间 2023-07-25 17:19:01

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