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公开/公告号CN105449097B
专利类型发明专利
公开/公告日2018-07-17
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院物理研究所;
申请/专利号CN201510846946.4
发明设计人 韩秀峰;孔文洁;黄黎;吴昊;万蔡华;
申请日2015-11-27
分类号H01L43/02(20060101);H01L43/08(20060101);
代理机构11497 北京市正见永申律师事务所;
代理人黄小临;冯玉清
地址 100190 北京市海淀区中关村南三街8号
入库时间 2022-08-23 10:14:01
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-07-17
授权
2016-04-27
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L43/02 申请日:20151127
实质审查的生效
2016-03-30
公开
机译: 磁性隧道结存储器件,包括在隧道势垒层上的结晶的含硼第一磁性层和在第一磁性层上的较低硼含量的第二磁性层
机译: 磁性隧道结器件,包括磁性隧道结器件的电子器件及其制造方法
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机译:双势垒磁性隧道结势垒形状的微观结构研究
机译:三个末端磁性隧道结的动力学特性:自旋电子学与自旋或双电子学
机译:STT-MRAM切换过程中温度升高对基于CoFeB / MgO的单和双势垒磁性隧道结的不同影响
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机译:基于石墨烯自旋过滤膜的磁性隧道结中自旋电子学的亚纳米原子层沉积
机译:10kHz以下双势垒谐振隧道结构的噪声特性