対向ターゲット式スパッタ法によるITO透明導電膜の低温高速成膜

摘要

低温で低抵抗のITO透明導電膜を得るためには、酸素負イオンなどに起因する高エネルギー粒子による膜表面の衝撃を極力減らすことが必要である。 100V程度の低電圧でスパッタすることで、マグネトロンスパッタ法を用いても低抵抗のITO薄膜が50℃以下の低温で得られるものの、スパッタ電圧が低いために、高速成膜の観点からは制限があった。 一方、対向ターゲット式スパッタ法は高電圧でスパッタしても、良好な低抵抗のITO透明導電膜が得られることに注目して、本研究ではこの対向ターゲット式スパッタ法を用いたITO薄膜の高速成膜法について検討した。 その結果、容易に120nm/min程度の堆積速度が得られること、電気的特性や構造も堆積速度にほとんど依存せず、4×10{sup}(-4)Ωcm以下の低抵抗率の膜が得られることが分かった。