直流反应磁控溅射法制备太阳电池用ITO透明导电膜

摘要

采用直流反应磁控溅射法制备了ITO透明导电薄膜，针对氧流量、溅射气压、溅射电流3种工艺参数对ITO薄膜电阻率和可见光区透射率的影响进行了分析和研究。结果表明:从ITO薄膜作为太阳电池用减反射层和电极出发，得到了工艺参数的优化值，分别为氧流量0.2ml/min(标准状态)，溅射气压3Pa和溅射电流0.2A，ITO薄膜的电阻率为3.7×10-3Ω·cm，透过率(550nm)高达93.3％。另外，利用该优化工艺条件下制备的ITO薄膜作为电极和减反射层，制备了结构为ITO／n+-nc-Si:H／i-nc-Si:H／p-c-Si/Ag的太阳能电池，电池开路电压Voc达到534.7mV，短路电流，Isc达到49.24mA(3cm2)，填充因子为0.4228。