Si(111)基板上AlGaN/GaN HEMT構造の多層膜構造検討による厚膜化

摘要

Si基板上AlGaN/GaN HEMTについて多層膜構造の検討により厚膜化を図った。多層膜構造をAlGaN/GaN、GaN/AlN、AlGaN/AlNとしてウエハーの反り量を測定したところ、反りの大小関係はAlGaN/GaN、GaN/AlN、AlGaN/AlNの順で小さく、多層膜の平均Al組成が高いほど小さいことがわかった。 これは、GaNと多層膜の格子定数差に起因した圧縮歪がGaN層に発生したためと考えられる。 表面クラックについては多層膜構造をAlGaN/AlNとしたところ、総膜厚が6μm程度までクラックフリーを達成できた。