RFマグネトロンスパッタ法によるAZO透明導電膜の作製

摘要

RFマグネトロンスパッタ法によるAZO薄膜の成膜条件に関する検討結果について報告する．放電ガスAr中に反応性ガスO_2を混入させた反応性スパッタリングを用い，メタルターゲットZnの上にAlペレットを配置し，酸素濃度割合，Alドーピング量，成膜温度を変化させた．抵抗率，透過率，結晶配向性を評価し，各種成膜条件における特性変化の原因について検討した．最適形成条件の探索の結果，酸素濃度割合12％，Alドーピング量4％，成膜温度350℃にすることにより，最小抵抗率4.38×10~(-4) Ωcmが得られ，可視光平均透過率は93％が得られた．