p-InGaN cap層を用いたノーマリオフ型AlGaN/GaN HEMTs

摘要

p-InGaN cap層を用いたAlGaN/GaN HEMTsを作製しデバイスの特性評価を行った。p-InGaN capのMg活性化のためのアニール温度を調べたところ、800℃アニールでは比較的良好なFET特性を示した。 作製したp-InGaN cap (800℃) HEMTsの閾値電圧は1.1Vであり、十分なノーマリオフ特性が実現できた。 この値はInGaN capなしHEMTsの-1.1V、i-InGaN cap HEMTsの-0.2Vに比べて、それぞれ2.2V、1.3Vのシフト量である。 p-InGaN cap (800℃) HEMTsのg{sub}(mmax)はInGaN capなしHEMTsのg{sub}(mmax) 128mS/mmよりも大きな値146mS/mmを示した。