衛星搭載用GaN HEMT高出力増幅器の製品化

摘要

これまでは，GaAs系FETを用いた増幅器が使用されていたが，今回，飽和電子速度や絶縁破壊耐圧が高く，電力付加効率も良いGaN HEMTを採用したことに加え，トランジスタ構造の最適化や整合回路の回路構成及び基板レイアウトパターンの最適化を実施することで，外形寸法が当社製25W出力GaAs増幅器“MGFC44C3742S”と同じままで，出力100W，電力付加効率60％という業界トップレベルの高周波性能を持ち，衛星搭載用としての高信頼度を確保した増幅器を実現した。さらに，製品ラインアップ拡充のため，100W増幅器技術を生かして出力電力が20W，40Wの増幅器を開発した。これによって，通信衛星搭載用送信機の小型·軽量化と省電力化に貢献する。