首页> 外文期刊>三菱电机技报 >0.18μm eDRAMコアの開発による0.18μm DRAM混載システムLSIコア技術の確立
【24h】

0.18μm eDRAMコアの開発による0.18μm DRAM混載システムLSIコア技術の確立

机译:通过开发0.18μmeDRAM内核建立0.18μmDRAM混合加载系统LSI内核技术

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
获取外文期刊封面目录资料

摘要

0.18μm HD(Hyper DRAM)技術を使用して32MビットeDRAMコアを開発した。 eDRAMの応用分野は,大きく分けて,グラフィック関連,ネットワーク関連,ディジタルAV,パソコン周辺関連に分類することができ,特にグラフィックやネットワーク関連では大メモリ容量+高速データ転送が必要になる。 最も高性能の要求される三次元グラフィックでは120Mビット,30Gバイト/秒以上の性能が要求される。 今回開発したeDRAMコアは,これらの要求を十分に満たす性能を実現するものである。 高速データ転送速度を実現するために,リード/ライトデータバス分離,デュアルポートセンスアンプを採用した。
机译:使用0.18μmHD(Hyper DRAM)技术开发了32 Mbit eDRAM内核。 eDRAM的应用领域可以大致分为图形相关,网络相关,数字AV和个人计算机外围设备相关,并且特别地,图形和网络相关需要大存储容量+高速数据传输。所需的最高性能3D图形需要120 Mbit,30 GB /秒或更高的性能。这次开发的eDRAM内核实现了完全满足这些要求的性能。为了实现高速数据传输速度,采用了读/写数据总线分离和双端口读出放大器。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号