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第153回日本応用磁気学会研究会報告 第15回スピンエレクトロニクス専門研究会

机译:第153届日本应用磁学学会研究会第15届自旋电子学专家研讨会报告

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摘要

本研究会では,MgOバリア層やハーフメタル材料の登場で現在も研究の進展が著しいMTJとこれを用いたスピンエレクトロニクスデバイスの基礎から応用·開発について,またスピントルクダイオードやスピンホ⊥ル効果という新たなデバイス創出のための物理研究について,第一線の研究者による講演がなされた.各講演とも研究の背景から最新の成果がわかりやすくまとめられ,充実した内容であった。 議論も活発になされ,急速に進展しているスピンエレクトロニクス研究に対する関心の高さをうかがい知ることができた。 ご多忙の中快く講演いただいた講師の皆楓活発にご討論いただいた参加者に紙面を借りて深く感謝したい。
机译:在这个研究小组中,随着MgO阻挡层和半金属材料的出现,研究进展仍然十分显着。一线物理学家进行了有关创建各种设备的演讲。每堂课都以研究背景为基础,以易于理解的方式总结了最新成果。讨论非常活跃,我们能够看到对快速发展的自旋电子学研究的高度兴趣。枫,所有在繁忙的工作日中进行了愉快演讲的讲师,我要对参加者进行了热烈的讨论表示深深的谢意。

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