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power semiconductor devices; diode; thyristor; MOSFET; IGBT; SiC; GaN;
机译:宽带隙半导体功率器件的发展趋势-以SiC(碳化硅)为中心的宽带隙半导体
机译:金刚石器件作为半导体的研究趋势,晶片和器件制造技术的研究与开发正在进行中,实现新概念功率器件的可能性。
机译:在高耐压和大容量领域中支持功率器件发展的功率-分析支持IGBT发展的因素,并讨论包括宽带隙半导体在内的未来功率器件的前景。
机译:下一代功率半导体器件实现技术的最新研发测量
机译:半导体激光器泵浦高效大功率固态激光器的研究
机译:<大学的研究与趋势>半导体碳化硅的功率器件:有效利用电能的基础