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机译:氢化物气相外延和自分离技术制备的自支撑GaN衬底的电性能
Free-standing GaN substrate; Electrical properties; Two-band conduction;
机译:氢化物气相外延和自分离技术制备的自支撑GaN衬底的电性能
机译:在氢化物气相外延中通过HCl化学反应蚀刻,从m面蓝宝石衬底上实现2 in。独立式m面GaN晶片与m面蓝宝石衬底的新型原位自分离
机译:交叉堆叠的碳纳米管通过氢化物气相外延辅助了自支撑式GaN衬底的自分离
机译:通过氢化物气相外延生长的高迁移型自由型GaN底物中电子传输的分析
机译:用于未来III-氮化物生长的氢化物气相外延生长GaN衬底的表征
机译:交叉堆叠的碳纳米管通过氢化物气相外延辅助了自支撑式GaN衬底的自分离
机译:采用自分离方法使用高品质的独立GaN衬底