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机译:在沟槽掩埋氧化物层上具有补偿层的高压SOI MOSFET
breakdown voltage; compensation layer; on-resistance; trenched buried oxide layer;
机译:在沟槽掩埋氧化物层上具有补偿层的高压SOI MOSFET
机译:部分SOI技术中具有埋入N层的新型高压(> 600V)LDMOSFET
机译:采用高压双极技术的背栅掩埋氧化物MOSFET,用于键合氧化物/ SOI接口表征
机译:具有三层漂移层的新型阶梯掩埋氧化物部分SOI LDMOSFET
机译:原位氧化物,GaN中间层的垂直沟MOSFET(OG-DET)
机译:具有多个外延层的150–200 V分离栅沟道功率MOSFET
机译:采用高压双极技术的背栅绝缘氧化物mOsFET,用于粘合氧化物/ sOI界面表征