机译:电化学刻蚀法制备的多孔In_(0.08)Ga_(0.92)N薄膜的结构和光学性质比较
Ill-nitride semiconductor; Porous InGaN; Atomic force microscopy; Photoluminescence;
机译:电化学刻蚀法制备的多孔In_(0.08)Ga_(0.92)N薄膜的结构和光学性质比较
机译:在光电子器件的不同衬底上生长的Si掺杂Al_(0.08)In_(0.08)Ga_(0.84)N薄膜的结构和光学性质
机译:电化学刻蚀技术合成In 0.27 sub> Ga 0.73 sub> N多孔薄膜的结构和光学性质的增强
机译:通过光致发光激发光谱揭示的In_(0.08)Ga_(0.92)N外延层中与温度无关的斯托克斯位移
机译:低温合成的氢化氮化铝薄膜的光学和结构表征
机译:PEG1000和溶胶浓度对Sol-Gel ZnO多孔薄膜的结构和光学性质的影响
机译:硝酸浓度对多孔氧化锌薄膜刻蚀工艺,结构和光学性能的影响