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机译:用于193 nm光刻的负性丙烯酸光致抗蚀剂的动力学
Chemical amplification; 193-nm lithography; Methacrylate; Kinetics of dehydration; Polyfunctional benzylic alcohols; Chemically amplified resists; Excimer-laser lithography; Etch resistance; Cross-linking; Poly(4-hydroxystyrene); Copolymers; Mechanism;
机译:用于193 nm光刻的负性丙烯酸光致抗蚀剂的动力学
机译:正光刻和负光刻胶中各种3维纳米/微结构加工的高级光刻模拟
机译:193纳米光刻胶
机译:用于193 nm光刻应用的负性CVD光刻胶的工艺优化
机译:高级光刻胶材料的设计和研究:减少环境影响的正性光刻胶和用于157 nm光刻的材料。
机译:SU-8厚光刻胶紫外光刻工艺的综合模拟
机译:用于EUV光致抗蚀剂的新型酸放大器的动力学,化学建模和光刻