机译:高温退火引起LPCVD-多晶硅的杨氏模量和内应力的变化
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机译:单圈粘合接头中杨氏模量的函数的奇异应力场(ISSF)变化的强度
机译:杨氏模量变化对干燥引起的应力影响的研究
机译:高温快速热退火对LPCVD-多晶硅薄膜残余应力的影响
机译:在纳米桥测试中测量的对纳米线的杨氏模量的内在和外在影响
机译:辐射松杨氏模量的环境变化建模及其对临界屈曲高度的确定
机译:考虑到深入的杨氏模量变化,由于树脂收缩,牙齿修复的残余应力和裂缝
机译:等离子体模量,等温应力和等离子体沉积氮氧化硅薄膜的温度依赖性