机译:动态应力下电可擦只读存储器隧道氧化物的导电特性
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机译:超薄氧化物隧道可编程电可擦只读存储器(EEPROM)擦除的研究
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机译:闪存读取扰动特性推导的隧道氧化物应力诱发的泄漏电流
机译:闪存可擦可编程只读存储设备中的热载流子效应。
机译:Li0.9□0.1NiV0.5P0.5O4的电介电性能及交流导电机理的研究
机译:记忆隧道氧化物中由电应力产生的氧化物固定电荷的起源和重新分配
机译:用于双光子3-D光存储器件的新型读/写/擦除材料