机译:La_(0.3)Sr_(1.7)AlTaO6衬底上的GaN基LED晶片的生长和表征
机译:La_(0.3)Sr_(1.7)AlTaO6衬底上的GaN基LED晶片的生长和表征
机译:La 0.3 sub> Sr 1.7 sub> AlTaO 6 sub>衬底上的高效GaN基发光二极管晶片
机译:在La_(0.3)Sr_(1.7)AlTaO_6衬底上实现高质量的InGaN / GaN多量子阱
机译:LA_(0.7)SR_(0.3)MNO_3 / YBA_2CU_3O_(7-Δ)/ LA_(0.7)SR_(0.3)MNO_3外延三层膜的生长和性质
机译:利用纳米技术在Si上生长,制造和表征基于InGaN / GaN的蓝色,绿色和黄色LED。
机译:La0.3Sr1.7AlTaO6衬底上的高效GaN基发光二极管晶片
机译:LA0.3SR1.7ATRAO6基材上高效的GaN基发光二极管晶片
机译:在简单的牺牲衬底上外延生长GaN基LED。总结报告