机译:基于AlN / AlGaN缓冲层的在硅衬底上具有TiW电极的GaN肖特基二极管
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机译:基于AlN / AlGaN缓冲层的硅衬底上具有TiW电极的GaN肖特基二极管
机译:基于AlN / AlGaN缓冲层的硅衬底上具有TiW电极的GaN肖特基二极管
机译:通过降低ALN缓冲层中的位错密度,在Si衬底上降低AlGaN / GaN高电子 - 迁移率 - 晶体管结构的缓冲漏电流
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:GaN / AlGaN /溅射AlN成核层对GaN基紫外发光二极管性能的影响
机译:AlN和GaN脉冲比在热原子层沉积AlGaN上的影响AlGaN in AlGaN / GaN肖特基二极管电学性能