机译:射频源功率诱导的离子能量对使用室温SiH_4-N_2等离子体沉积的SiN薄膜的影响
Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition; Silicon Nitride; SiH_4-N_2; Room Temperature; Ion Energy; Ion Energy Flux; Radio Frequency Source Power; Deposition Rate; Surface Roughness; Refractive Index;
机译:射频源功率诱导的离子能量对使用室温SiH_4-N_2等离子体沉积的SiN薄膜的影响
机译:射频源功率诱导的离子能量对室温下在SiH4-N2等离子体中使用脉冲PECVD沉积的SiN膜的影响
机译:射频源功率感应离子能量对室温下脉冲PECVD沉积的SiN薄膜折射率的影响
机译:低残余应力和SIN {SUB} X薄膜的高压率,采用双射频等离子体增强化学气相沉积的基于INP基光电器件制造
机译:研究磁控管系统中射频和中频等离子体中的离子和电子能量分布。
机译:低温(13.56 MHz)等离子体放电沉积的SiGe:H合金中使用H稀释终止Si和Ge原子的研究
机译:射频电感耦合等离子体在金刚石状碳膜的化学气相沉积过程中的应用,用于改性沉积膜的性能
机译:等离子体沉积的薄氮化硅薄膜在700℃的温度下的粘附,摩擦和磨损