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机译:通过将ErAs纳米粒子嵌入In_(0.53)Ga_(0.47)As晶体半导体中来调节热电性能
Figure of merit; Phonon scattering; Thermal conductivity; Thermoelectric power;
机译:通过将ErAs纳米粒子嵌入In_(0.53)Ga_(0.47)As晶体半导体中来调节热电性能
机译:嵌入外延In_(0.53)Ga_(0.47)As层中的ErAs纳米粒子的扫描透射电镜
机译:退火工艺对原子层沉积Al_2O_3 / In_(0.53)Ga_(0.47)作为金属氧化物半导体电容器电性能的影响
机译:ErAs / In_(0.53)GA_(0.47)AS热电偶态的瞬态热表征
机译:通过模板化晶粒生长制备的织构锶(0.53)钡(0.47)铌(2)氧(6)陶瓷的制备和电性能。
机译:Pb(Zr0.53Ti0.47)O3薄膜中铁电和光学性质的厚度依赖性
机译:InP / In_ {0.53} Ga_ {0.47} As界面对In_ {0.52} Al_ {0.48} As / In_ {0.53} Ga_ {0.47} As异质结构中自旋轨道相互作用的影响
机译:周围结晶半导体与金属纳米粒子的热电性能增强