机译:通过负离子质谱法研究的光激发四氯化碳和四氯化硅中的负离子形成范围为12.4-31.0 eV
synchrotron radiation; formation of Cl- ion; carbon tetrachloride; silicon tetrachloride; negative-ion mass spectrometry; Rydberg state;
机译:通过负离子质谱法研究的光激发四氯化碳和四氯化硅中的负离子形成范围为12.4-31.0 eV
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机译:通过离解电子连接到IV基四氯化物的负离子形成:四氯化碳,四氯化硅和四氯锗
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机译:用四氯化硅形成金属硅化物(第二次报告)。钼和四氯化硅之间的反应
机译:200个西部处置场地下四氯化碳流动和运输的模拟:216-Z-9处置场下的未来四氯化碳分布的大规模模型配置和预测