机译:通过离解电子连接到IV基四氯化物的负离子形成:四氯化碳,四氯化硅和四氯锗
机译:通过负离子质谱法研究的光激发四氯化碳和四氯化硅中的负离子形成范围为12.4-31.0 eV
机译:通过负离子质谱法研究的光激发四氯化碳和四氯化硅中的负离子形成范围为12.4-31.0 eV
机译:半夹层与茂金属复合物形成在单套管和混合甲硅烷基的反应中,用钛和四氯化锆取代环戊二烯基同学
机译:通过点接触反应,纳米硅器件的镍硅/硅/硅镍和铂硅/硅/铂硅纳米线异质结构形成纳米硅化物。
机译:从稻壳中生产四氯化硅通过氯化和水性吸附的氯化和性能氯化残基的溶液
机译:评价所选择的低成本硅生产化学方法(II期)。硅材料任务,低成本硅太阳能阵列项目。第五季度 - 第六季度进度报告,1976年10月1日 - 1977年3月31日。减少流化床中四氯化硅