机译:氢化物蒸气压外延生长GaN中三维载流子浓度分布的深阱浓度
Carrier Concentrations; Deep Traps; GaN; HVPE; Three-Dimensional Profiling Abstract;
机译:氢化物蒸气压外延生长GaN中三维载流子浓度分布的深阱浓度
机译:通过氢化物气相外延生长的独立式高质量GaN模板中的霍尔迁移率和载流子浓度
机译:在各种砷蒸气压下生长的气相外延砷化镓中深层杂质浓度的深度剖面
机译:陷阱对基于CIGSe异质结的电容电压和驱动级分析测量的载流子浓度曲线的影响
机译:I.水和百万分之二氧化氮浓度之间汽相反应的速率和机理。二。水蒸气存在下百万分之一浓度的一氧化氮的空气氧化机理
机译:根据蒸气压和破坏半径对化学浓度法律法规的适用性评估
机译:深能级瞬态光谱研究AlGaN / GaN异质结构中的深陷阱:GaN缓冲层中碳浓度的影响
机译:胂含量对VpE(气相外延) - 氢化物技术制备的Ga(x)In(1-x)外延层组成,载流子浓度,迁移率和生长速率的影响