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机译:使用DoE方法分析含聚合物源的管状热壁反应器中SiC的沉积速率
CVD; SiC; numerical study; DoE; optimization;
机译:使用DoE方法分析含聚合物源的管状热壁反应器中SiC的沉积速率
机译:使用薄管式反应器进行化学气相沉积的速率分析
机译:高温气源法快速生长4H-SiC晶体的位错分析
机译:高温气体源法在快速生长速率下获得的4H-SIC晶体的位错分析
机译:通过管状热壁低压化学气相沉积系统选择性外延生长硅锗。
机译:射频等离子体增强化学气相沉积(RF PECVD)反应器中样品高度对氮化硅薄膜光学性能和沉积速率的影响
机译:使用二氯硅烷的高生长速率4H-siC外延生长 热壁CVD反应器