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机译:图案化二氧化硅掩盖的HgCdTe的低粗糙度等离子体蚀刻
HgCdTe (mercury cadmium telluride); inductively coupled plasma (ICP); patterned silicon dioxide films; etching selectivity; etched surface;
机译:图案化二氧化硅掩盖的HgCdTe的低粗糙度等离子体蚀刻
机译:使用低相干干涉法同时原位测量二氧化硅等离子体刻蚀过程中的硅衬底温度和二氧化硅膜厚度
机译:通过喷墨印刷对二氧化硅和氮化硅介电层进行直接图案刻蚀
机译:硅和二氧化硅的催化等离子体化学蚀刻
机译:在感应耦合等离子体反应器中研究碳氟化合物沉积和蚀刻对硅和二氧化硅蚀刻工艺的影响(使用三氟化甲基),并开发了用于研究等离子体与表面相互作用机理的反应离子束系统。
机译:NF3和F3No等离子体的氧化硅蚀刻方法具有残余气体分析仪
机译:硅和二氧化硅等离子体刻蚀的建模,模拟和多变量控制
机译:氟碳等离子体中二氧化硅和光刻胶蚀刻的表征