机译:分子束外延生长具有InP和InAlP缓冲层的变质InP / InGaAs双异质结双极晶体管的比较研究
Buffer layer; dislocations; heterojunction bipolar transistor; metamorphic heterojunction bipolar transistor (MHBT); molecular beam epitaxy (MBE); and transmission electron microscopy (TEM);
机译:分子束外延生长具有InP和InAlP缓冲层的变质InP / InGaAs双异质结双极晶体管的比较研究
机译:通过分子束外延生长在InP(n)上具有非合金n / sup +/- InAs盖层的高性能InGaAs / InAlAs双异质结双极晶体管
机译:金属有机化学气相沉积和分子束外延生长碳掺杂基层的InP / InGaAs异质结双极晶体管的特性
机译:具有INP和INALP缓冲层的变形双异质结双极晶体管的热性能
机译:气源分子束外延生长的InP / InGaAs异质结双极晶体管和场效应晶体管。
机译:分子束外延生长CuGaSe2 / CuInSe2双异质结界面的研究
机译:气源分子束外延生长高性能GaAsSb / InP双异质结双极晶体管
机译:通过金属有机分子豆外延生长在Ge / p共注入Inp衬底上的Inp / InGaas异质结双极晶体管。