机译:4H-SiC上的肖特基势垒的电学特性:势垒高度不均匀性的影响
4H-SiC; Schottky diodes; barrier height; electron beam induced current; metallization; crystal defects; leakage current;
机译:4H-SiC上的肖特基势垒的电学特性:势垒高度不均匀性的影响
机译:具有高肖特基势垒高度的10 kV 4H-SiC MPS整流器的电气特性
机译:高能质子辐照对Au / Ni / 4H-SiC肖特基势垒二极管电学特性的影响
机译:具有几乎相同的肖特基势垒高度的1.2kV,100A,4H-SiC(0001)和(000-1)结势垒肖特基二极管的制造
机译:金/(100)砷化镓和金/硅化铂/(100)硅二极管的肖特基势垒高度和弹道电子传输特性的横向变化。
机译:具有改善的势垒高度均匀性的单层石墨烯/ SiC肖特基势垒二极管作为检测重金属的传感平台
机译:高能电子辐照对肖特基势垒高度和Ni / 4H-siC肖特基二极管的Richardson常数的影响