机译:空穴迁移率对超薄绝缘体上硅pMOSFET沟道表面的依赖性
Ultrathin-body; SOI; Hole mobility enhancement; Subband modulation;
机译:空穴迁移率对超薄绝缘体上硅pMOSFET沟道表面的依赖性
机译:具有(001)或(111)Si表面沟道的超薄体单栅极和双栅极绝缘体上金属-氧化物-半导体场效应晶体管的声子有限电子迁移率的经验模型
机译:超薄绝缘体上硅p型金属氧化物半导体场效应晶体管中双栅模式提高空穴迁移率
机译:基于物理学的超薄绝缘体上硅MOSFET空穴迁移率建模
机译:具有氧氮化物栅极电介质的p + -poly PMOSFET中的热孔退化和负偏压温度不稳定性(NBTI)增强。
机译:具有非晶硅钝化的高迁移率Ge pMOSFET:表面取向的影响
机译:(100) - (100) - 和(110) - 超薄 - 身体(UTB)硅 - 绝缘体(SOI)金属氧化物半导体场效应晶体管(110) - 和(110) - 和(110)的孔隙
机译:al2O3 / Gasb界面和高迁移率Gasb pmOsFET的优化