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【2h】

Hole Mobility Enhancement in (100)- and (110)-surface of Ultrathin-body(UTB) Silicon-on-insulator(SOI) Metal Oxide Semiconductors Field Effect Transistor

机译：（100） - （100） - 和（110） - 超薄 - 身体（UTB）硅 - 绝缘体（SOI）金属氧化物半导体场效应晶体管（110） - 和（110） - 和（110）的孔隙

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1. Hole mobility enhancement by double-gate mode in ultrathin-body silicon-on-insulator p-type metal-oxide-semiconductor field-effect transistors [J] . Shigeki Kobayashi, Masumi Saitoh, Ken Uchida Journal of Applied Physics . 2009,第2期

机译：超薄绝缘体上硅p型金属氧化物半导体场效应晶体管中双栅模式提高空穴迁移率
2. Impact of the top silicon thickness on phonon-limited electron mobility in (110)-oriented ultrathin-body silicon-on-insulator n-metal-oxide-semiconductor field-effect transistors [J] . Hui-Chang Moon, Seong-Je Kim, Tae-Hun Shim, Journal of Applied Physics . 2007,第6期

机译：最高硅厚度对（110）取向绝缘体上超薄体n型金属氧化物半导体场效应晶体管中声子限制电子迁移率的影响
3. Experimental Study on Mobility in (110)-Oriented Ultrathin-Body Silicon-on-Insulator n-Type Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor with Single- and Double-Gate Operations [J] . Gen Tsutsui, Toshiro Hiramoto Japanese journal of applied physics . 2007,第9A期

机译：单栅和双栅操作的（110）取向超薄绝缘体上硅n型金属氧化物半导体场效应晶体管迁移率的实验研究
4. The role of the temperature on the scattering mechanisms limiting the electron mobility in metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors fabricated on (110) silicon-oriented wafers [C] . Gaubert Philippe, Teramoto Akinobu, Sugawa Shigetoshi, 2012 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference. . 2012

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机译：应变对硅和锗p型金属氧化物半导体场效应晶体管的空穴迁移率的影响
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机译：垂直型二维空穴气金刚石金属氧化物半导体场效应晶体管
7. A Novel Body-tied Silicon-On-Insulator(SOI) n-channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor with Grounded Body Electrode [O] . Won-Gu Kang Jong-Son, Gbsoi Nmosfet 2007

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Hole Mobility Enhancement in (100)- and (110)-surface of Ultrathin-body(UTB) Silicon-on-insulator(SOI) Metal Oxide Semiconductors Field Effect Transistor

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