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机译:(100)GAAS-垂直-BAR-HIO3界面的电化学和蚀刻的研究
(100)gaas-vertical-bar-hio3 interface; Electrochemistry; Etching; Acid-solutions; Electrodes; Reduction; Gaas;
机译:(100)GAAS-垂直-BAR-HIO3界面的电化学和蚀刻的研究
机译:关于在NaOH 35/100溶液中化学蚀刻(hk0)和(hhl)硅片的各向异性的一些研究。第一部分:二维蚀刻形状
机译:在内部电流源的电解质中p-Si(100)的长期阳极蚀刻中,多孔硅纳米微晶的3D岛的镶嵌结构的自组织过程中,电解质-硅界面区域中的边界过程
机译:研究Si <100>晶片的KOH各向异性蚀刻以改善蚀刻表面质量的研究
机译:高能(约100s eV)氧原子中性束对聚合物膜的各向异性刻蚀
机译:先前的酸蚀对自蚀胶与腔表面搪瓷的界面形态和结合强度的影响
机译:在XeF2蚀刻过程中通过界面层H:Si(100)和a-Si / Si(100)粗化Si(100)
机译:不溶性电解质与膜电化学界面的研究