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Chemical Vapor Deposition of Iridium and Rhodium Coatings from Hydridotetrakis(trifluorophosphine) Complexes

机译:氢化四(三氟膦)配合物铱和铑涂层的化学气相沉积

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摘要

Chemical vapor deposition (CVD) of iridium and rhodium coatings using hydridotetrakis(trifluorophosphine) complexes as the precursor is presented. These inorganic, volatile, carbon- and oxygen-free compounds undergo a decomposition reaction to form highly pure iridium and rhodium metallic films on molybdenum substrates in the CVD reactor at growth temperatures as low as 450°C. The dependences of the deposition process and characteristics of the iridium and rhodium coatings have been investigated.
机译:提出了使用氢化四(三氟膦)配合物作为前体的铱和铑涂层的化学气相沉积(CVD)。这些无机,挥发性,无碳和无氧的化合物在生长温度低至450°C时,会在CVD反应器中的钼基板上发生分解反应,从而形成高纯度的铱和铑金属膜。已经研究了沉积工艺的依赖性以及铱和铑涂层的特性。

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