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IMEC/193-NM-LITHOGRAFIE BIS AN DIE PHYSIKALISCHEN GRENZEN AUSGEREIZT

机译:IMEC / 193-NM光刻术已达到物理极限

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摘要

IMEC gibt die Fortsetzung seines Industrial Affiliation Programms fur 193-nm-Li-thografie bekannt und nutzt zur Weiterentwicklung der Lithografie uber die 100-nm-Grenze hinaus ein High NA 193 nm Step-und-Scan-System. 1999 hat IMEC sein Industrial Affiliation Programm (IIAP) fur 193-nm-Lithografie vorgestellt, das auf dem ersten Full-Field Step-und-Scan-System PAS5500/900 von ASML basiert und die Einfuhrung der 193-nm-Techno-logie beschleunigt. Bei diesem System kommen Linsen mit einer maximalen numerischen Apertur (NA) von 0,63 zum Einsatz. Bei diesem Programm hat sich IMEC auf die kritischen Lithografie-Grenzen von 130-nm- und 100-nm-CMOS-Technologien konzentriert; die Entwicklung dieser Technologien wird kontinuierlich fortgesetzt.
机译:IMEC宣布将继续其针对193 nm光刻技术的工业联盟计划,并使用高NA 193 nm步进扫描系统进一步开发超过100 nm极限的光刻技术。 1999年,IMEC展示了其针对193 nm光刻技术的工业联盟计划(IIAP),该计划基于ASML的首个全场步进扫描系统PAS5500 / 900,并加速了193 nm技术的引入。在此系统中,使用的镜头的最大数值孔径(NA)为0.63。在该计划中,IMEC专注于130nm和100nm CMOS技术的关键光刻限制;这些技术的发展仍在继续。

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