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机译:拟议的十一晶体管(11-T)CMOS SRAM单元可提高读取稳定性并降低读取功耗
SRAM cell; Read stability; SNM; Power consumption; Read/write access time; Leakage current;
机译:拟议的十一晶体管(11-T)CMOS SRAM单元可提高读取稳定性并降低读取功耗
机译:纳米CMOS SRAM中基于DOE-ILP的同时功率和读取稳定性优化
机译:低功耗近阈值10T SRAM位单元,具有增强的与数据无关的读取端口泄漏功能,用于32nm CMOS阵列增强
机译:提出的对称和平衡11-T SRAM单元,用于较低功耗
机译:设置阅读平台:与英语学习者一起使用读者的剧场和定时阅读,以提高流利度和理解力。
机译:减少CMOS图像传感器的读取噪声以实现光子计数
机译:使用FinFET和CMOS逻辑的双端口8T SRAM单元进行泄漏减少和增强的读写稳定性