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Photoassisted etching of silicon dioxide films

机译:光辅助蚀刻二氧化硅薄膜

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摘要

Theoretical approaches to resolving the problem of photoassisted etching of silicon dioxide as the most widely used protective layer in microelectronics are presented. A model of donor-acceptor interaction providing for the desolvation of the F- ion involved in SiO2 photoetching is proposed. The etchant compositions were optimized, and the effect of the most important factors on the etching process was examined. It has been shown that the maximal photoetching rate is 0.42 mu m/min and the chemical contribution to etching is small, being about 0.02 mu m/min.
机译:提出了解决光电辅助刻蚀二氧化硅作为微电子学中最广泛使用的保护层的问题的理论方法。提出了一种供体-受体相互作用的模型,该模型提供了SiO2光刻中涉及的F-离子的去溶剂化作用。优化蚀刻剂的组成,并检查最重要因素对蚀刻过程的影响。已经表明,最大的光蚀刻速率为0.42μm/ min,化学对蚀刻的贡献很小,约为0.02μm/ min。

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