SEMI Technology Symposiumレビュー③－65nmそして45nmノードに向けた最新プロセス技術

摘要

産業技術総合研究所の鈴木英一氏は，「ダブルゲートMOSデバイス技術の開発状況と将来展望」をテーマに講演した。 IT社会をハード面で支える半導体製造技術は，それを構成するバルクMOSFETの微細化により，驚異的な成長を遂げてきた。 しかし，ムーアの法則に沿った微細化を前提としたITRS半導体ロードマップでも，非常に困難な課題に直面していることが危倶されている。 微細化を推し進めることで，ゲート絶縁膜を通してのソース/ドレイン間のリーク電流や，短チャネル効果による素子性能の劣化が顕在化してくるためである。 デバイス構造の観点からみると，プロセスの微細化にも関わらず，素子性能の劣化を招くことが最も厳しい課題であり，是非とも解決しなければならない課題でもある。 そこで昨今，将来のVLSIに対する新たなSiデバイスとして，ダブルゲートデバイスが注目されている。