【24h】

GaAs/AlGaAs-Quantenkaskaden-Laser

机译:砷化镓/铝镓砷-量子激光器

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摘要

Es wurden Quantenkaskaden-Laser fur den 10-μm-Spektralbereich hergestellt. Zur Miniaturisierung, Verbesserung der Bauelementeigenschaften und Erzielung monomodiger Emission wurden Laser mit eindimensionalen photonischen Kristallstrukturen in Form von tiefgeatzten Bragg-Spiegeln entwickelt. Es wurde erstmals erfolgreich nahezu gitterangepasstes GaInNAs auf GaAs-Substraten bei 590℃ aufgewachsen, womit eine wesentliche Erhohung des Ladungstragereinschlusses ermoglicht wird.
机译:产生了10μm光谱范围的量子级联激光器。已经开发出具有深蚀刻布拉格反射镜形式的一维光子晶体结构的激光器,以实现小型化,改善组件特性并实现单模发射。首次,几乎晶格匹配的GaInNAs在590℃的GaAs衬底上成功生长,这使得电荷载流子的夹杂物大大增加。

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