机译:III-V复合半导体的(110)表面中的声子
Ab-initio calculation; Bond-charge model; Gaas(110); Dispersion; Inp(110); Dynamics; Vibrations; Insb(110); Plasmon; Gaas;
机译:III-V复合半导体的(110)表面中的声子
机译:拉曼光谱法研究III-V半导体的Sb端接(110)表面的表面振动模式-艺术。没有。 075330
机译:通过在低格子温度下使用近似的FERMI-DIRAC分布在退化III-V化合物半导体中与声学和压电子组合相互作用控制的声音发射分析
机译:通过HVPE(110),(110),(1111)A,(311)A和(311)B表面的电导和绝缘III-V化合物的快速外延生长
机译:(110)化合物半导体表面上的光射反应
机译:使用凹角纳米结构控制和建模III-V半导体表面的润湿特性
机译:衬底对在III-V型化合物半导体的(110)表面上形成平坦的Ag膜的影响
机译:III-V族化合物半导体(110)表面上的V柱覆盖层的新表面原子结构。