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Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications
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1.
Ⅲ-Ⅴ Epitaxial Growth for Nitride Devices
机译:
氮化物器件的Ⅲ-Ⅴ外延生长
作者:
Russell Dupuis
;
Theodore Chung
;
Wonseok Lee
;
Peng Li
;
Jae Limb
;
Jae-Hyun Ryou
;
Dongwon Yoo
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
2.
Metal Organic Chemical Vapor Deposition of ZnO
机译:
ZnO的金属有机化学气相沉积
作者:
William E. Fenwick
;
Vincent T. Woods
;
Ming Pan
;
Nola Li
;
Matthew H. Kane
;
Shalini Gupta
;
Varatharajan Rengarajan
;
Jeff Nause
;
Ian T. Ferguson
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
3.
Characteristics of a phosphorus-doped p-type ZnO film by MBE
机译:
MBE掺杂磷的p型ZnO薄膜的特性
作者:
F. X. Xiu
;
Z. Yang
;
L. J. Mandalapu
;
J. L. Liu
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
4.
Characterization of a-Plane AlGaN/GaN Heterostructure Grown on r-Plane Sapphire Substrate
机译:
r平面蓝宝石衬底上生长的a平面AlGaN / GaN异质结构的表征
作者:
M. Iwaya
;
Y. Okadome
;
Y. Tsuchiya
;
D. Iida
;
A. Miura
;
H. Furukawa
;
A. Honshio
;
Y. Miyake
;
S. Kamiyama
;
H. Amano
;
I. Akasaki
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
5.
MgZnO Nanocrystallites: Photoluminescence and Phonon Properties
机译:
MgZnO纳米晶体:光致发光和声子性质
作者:
John L. Morrison
;
Xiang-Bai Chen
;
Jesse Huso
;
Heather Hoeck
;
James Mitchell
;
Leah Bergman
;
Tsvetanka Zheleva
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
6.
Fe-Centers in GaN as Candidates for Spintronics Applications
机译:
GaN中的铁中心可作为自旋电子学应用的候选材料
作者:
Enno Malguth
;
Axel Hoffmann
;
Matthew Phillips
;
Wolfgang Gehlhoff
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
7.
Role Of Active Oxygen Species On Growth Of ZnO Using RF-PAMBE
机译:
RF-PAMBE活性氧对ZnO生长的作用
作者:
S. M. Durbin
;
W. C. T. Lee
;
M. Allen
;
P. Miller
;
R. J. Reeves
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
8.
Roles of Laser-Ablation of Mn in Initial Stage of Growth of ZnO Nanorods by Chemical Vapor Deposition
机译:
化学气相沉积激光烧蚀Mn在ZnO纳米棒生长初期的作用
作者:
Takashi Hirate
;
Hiroshi Miyashita
;
Takashi Kimpara
;
Kazumoto Takizawa
;
Tomomasa Satoh
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
9.
ZnO Light-Emission Array Fabricated into Nanometer-scale Pits on Silicon Substrate
机译:
在硅基板上制作成纳米级坑的ZnO发光阵列
作者:
Naoki Ohashi
;
Isao Sakaguchi
;
Takashi Sekiguchi
;
Hajime Haneda
;
Kazuyoshi Kobayashi
;
Hidetoshi Masauda
;
Hirokazu Chazono
;
Masayuki Fujimoto
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
10.
White-light Emitting ZnO-SiO_2 Nanocomposite Thin Films Prepared by Sputtering Method
机译:
溅射法制备的白光发射ZnO-SiO_2纳米复合薄膜
作者:
Yu-Yun Peng
;
Tsung-Eong Hsieh
;
Chia-Hung Hsu
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
11.
Mid-IR Interband Cascade Lasers
机译:
中红外带间级联激光器
作者:
Rui Q. Yang
;
Cory J. Hill
;
Yueming Qiu
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
12.
Minority Carrier Lifetime Measurement in Germanium on Silicon Heterostructures for Optoelectronic Applications
机译:
锗在光电应用硅异质结构上的少数载流子寿命测量
作者:
Josephine J. Sheng
;
Malcolm. S. Carroll
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
13.
Czochralski Crystal Growth of Zinc Oxide-Tellurium Oxide System
机译:
氧化锌-氧化碲体系的直拉晶体生长
作者:
Jalal M. Nawash
;
Kelvin G. Lynn
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
14.
Investigation of Surface Passivation in InAs/GaSb Strained-Layer-Superlattices Using Picosecond Excitation Correlation Measurement and Variable-Area Diode Array Surface Recombination Velocity Measurement
机译:
使用皮秒激发相关测量和可变面积二极管阵列表面复合速度测量研究InAs / GaSb应变层超晶格中的表面钝化
作者:
Zhimei Zhu
;
Elena Plis
;
Abdenour Amtout
;
Pallab Bhattacharya
;
Sanjay Krishna
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
15.
Kinetically controlled superstructural phases at the Sb/Si (5 5 12) interface
机译:
Sb / Si(5 5 12)界面的动力学控制的超结构相
作者:
Kumar
;
Mahesh
;
Paliwal
;
Vinod Kumar
;
Govind
;
G.
;
Vedeshwar
;
A.G.
;
Shivaprasad
;
S. M.
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
16.
Heterojunction, Vacuum-Glass Field Effect Transistors
机译:
异质结,真空玻璃场效应晶体管
作者:
Michael W. Geis
;
Sandra Deneault
;
Keith E. Krohn
;
Michael Marchant
;
David L. Cooke
;
Theodore M. Lyszczarz
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
17.
Ⅳ-Ⅵ SEMICONDUCTOR MID-IR LASERS
机译:
Ⅳ-Ⅵ半导体中红外激光
作者:
Patrick J. McCann
;
Yurii Selivanov
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
18.
Interdiffused InGaAsP Quantum Dots Lasers on GaAs by Metal Organic Chemical Vapor Deposition
机译:
金属有机化学气相沉积在GaAs上互扩散的InGaAsP量子点激光器
作者:
Ronald A. Arif
;
Nam-Heon Kim
;
Luke J. Mawst
;
Nelson Tansu
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
19.
Interdiffused SbN-Based Quantum Well on GaAs for 1300-1550 nm Diode Lasers
机译:
用于1300-1550 nm二极管激光器的GaAs上基于SbN的互扩散量子阱
作者:
Ronald A. Arif
;
Nelson Tansu
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
20.
Laser Assisted Molecular Beam Deposition of High Mobility Zinc Oxide
机译:
高迁移率氧化锌的激光辅助分子束沉积
作者:
Meiya Li
;
Nehal Chokshi
;
Robert L. DeLeon
;
Gary Tompa
;
Wayne Anderson
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
21.
Material synthesis and infrared optical properties of transition metal doped binary and ternary Ⅱ-Ⅵ semiconductors
机译:
过渡金属掺杂二元和三元Ⅱ-Ⅵ族半导体的材料合成和红外光学性能
作者:
U. Hoemmerich
;
Ei Ei Nyein
;
S.B. Trivedi
;
A.G. Bluiett
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
22.
Nano-patterned Growth of Ge Quantum Dots for Infrared Detector Applications
机译:
用于红外探测器应用的Ge量子点的纳米图案生长
作者:
Christopher Chen
;
Dongho Cha
;
Joo-young Lee
;
Hyung-jun Kim
;
Fei Liu
;
Song Tong
;
Kang L. Wang
;
Jia-Yu Wang
;
Thomas P. Russell
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
23.
New Solar Cells with Novel Light Trapping via Textured Photonic Crystal Back Reflector
机译:
新型太阳能电池,通过带纹理的光子晶体背面反射器捕获新型光
作者:
Lirong Zeng
;
Yasha Yi
;
Ching-yin Hong
;
Bernard A. Alamariu
;
Jifeng Liu
;
Xiaoman Duan
;
Lionel C. Kimerling
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
24.
Nonmagnetic Doping Effect on the Magneto-Transport Properties of Mn Doped ZnO Dilute Magnetic Semiconductors
机译:
非磁性掺杂对Mn掺杂ZnO稀磁半导体的磁输运性质的影响
作者:
Govind Mundada
;
Srikanth Manchiraju
;
T. Kehl
;
Sandhya Pulugam
;
R. J. Patel
;
P. Kahol
;
K. Ghosh
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
25.
Optical investigations on sputtered CuCl thin films
机译:
溅射CuCl薄膜的光学研究
作者:
Gomathi Natarajan
;
A. Mitra
;
L. OReilly
;
S. Daniels
;
D. C. Cameron
;
P. J. McNally
;
O. F. Lucas
;
L. Bradley
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
26.
Prediction of Young's Moduli of Low Dielectric Constant Materials by Atomistic Molecular Dynamics Simulation
机译:
原子分子动力学模拟预测低介电常数材料的杨氏模量
作者:
Hyuk Soon Choi
;
Taebum Lee
;
Hyosug Lee
;
Jongeseob Kim
;
Ki-Ha Hong
;
Kwang Hee Kim
;
Jaikwang Shin
;
Hyun Jin Shin
;
Hyeon Dam Jung
;
Seung Hoon Choi
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
27.
Photoluminescence investigations on a native donor in ZnO
机译:
ZnO中天然供体的光致发光研究
作者:
B. K. Meyer
;
S. Lautenschlaeger
;
S. Graubner
;
C. Neumann
;
J. Sann
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
28.
Quantum-well Intermixing using Ge-doped Sol-gel Derived Silica Encapsulant Layer
机译:
使用掺Ge的溶胶-凝胶衍生的二氧化硅密封剂层进行量子阱混合
作者:
H. S. Djie
;
B. S. Ooi
;
C. K. F. Ho
;
T. Mei
;
K. Pita
;
N. Q. Ngo
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
29.
Purification, material synthesis, and infrared emission from Nd doped PbBr_2 and PbI_2
机译:
Nd掺杂的PbBr_2和PbI_2的纯化,材料合成和红外发射
作者:
U. Hoemmerich
;
Ei Ei Nyein
;
S.B. Trivedi
;
A.G. Bluiett
;
J. M. Zavada
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
30.
Potentially Modulated GaAs/GaNAs/InGaAs Quantum Wells for Solar Cell Applications
机译:
用于太阳能电池的潜在调制GaAs / GaNAs / InGaAs量子阱
作者:
Naoto Kobayashi
;
Naoyuki Sasaki
;
Yoshitaka Okada
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
31.
Silicon Surface Texturization Mechanism by Hydrogen Radicals Using Tungsten Hot Filament
机译:
钨丝加热氢自由基对硅表面的织构化机理
作者:
Hiroshi Nagayoshi
;
Hiroaki Sato
;
Suzuka Nishimura
;
Kazutaka Terashima
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
32.
Stabilization of mixed valencies in Cu, Zn-based oxides
机译:
稳定铜,锌基氧化物中的混合价
作者:
Anne Le Nestour
;
Manuel Gaudon
;
Mona Treguer-Delapierre
;
Ronn Andriessen
;
Alain Demourgues
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
33.
Strain compensation effect on stacked InAs self-assembled quantum dots embedded in GaNAs layers
机译:
应变补偿对嵌入GaNAs层中的堆叠式InAs自组装量子点的影响
作者:
Ryuji Oshima
;
Takayuki Hashimoto
;
Hidemi Shigekawa
;
Yoshitaka Okada
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
34.
Spectral and Temporal Resolution of THz Detectors Based on Quantum Hall Devices With Various Geometries
机译:
基于不同几何形状的量子霍尔器件的太赫兹探测器的时空分辨率
作者:
N. G. Kalugin
;
C. Stellmach
;
Yu. Vasilyev
;
A. Hirsch
;
G. Hein
;
B.E. Sagol
;
G. Nachtwei
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
35.
Spatial Bandgap Tuning in Long Wavelength InAs Quantum Dots-in-Well Laser Structure
机译:
长波长InAs量子阱中激光结构的空间带隙调谐
作者:
Yang Wang
;
Clara E. Dimas
;
Hery S. Djie
;
Boon S. Ooi
;
Gerard Dang
;
Wayne Chang
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
36.
Sn-based Group-Ⅳ Semiconductors on Si: New Infrared Materials and New Templates for Mismatched Epitaxy
机译:
Si上的锡基Ⅳ族半导体:新的红外材料和不匹配的外延的新模板
作者:
John Tolle
;
Radek Roucka
;
Vijay DCosta
;
Jose Menendez
;
Andrew Chizmeshya
;
John Kouvetakis
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
37.
Thin Multiwall Carbon Nanotube Field Emitters with MicroChannel Plate for High Current Emission
机译:
带有多通道板的薄壁多壁碳纳米管场致发射器,用于大电流发射
作者:
Raghunandan Seelaboyina
;
Jun Huang
;
Won Bong Choi
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
38.
Tunneling Injection Quantum-Dot Lasers
机译:
隧道注入量子点激光器
作者:
S. L. Chuang
;
J. Kim
;
P. K. Kondratko
;
G. Walter
;
N. Holonyak
;
Jr.
;
R. D. Heller
;
X. B. Zhang
;
R. D. Dupuis
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
39.
Thermal stability of nickel-cobalt multilayer silicide
机译:
镍钴多层硅化物的热稳定性
作者:
Kil Jin Han
;
Yu Jung Cho
;
Soon Young Oh
;
Yong Jin Kim
;
Won Jae Lee
;
Hi Deok Lee
;
Yeong-Cheol Kim
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
40.
Wavefunction Engineering of Layered Quantum Semiconductor Structures: Recent Progress
机译:
分层量子半导体结构的波函数工程:最新进展
作者:
L. R. Ram-Mohan
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
41.
UV photoconductors based on Ga-doped ZnO films
机译:
基于Ga掺杂的ZnO薄膜的UV光电导体
作者:
Leelaprasanna J. Mandalapu
;
Faxian Xiu
;
Zheng Yang
;
Jianlin Liu
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
42.
ZnO-based p-n Junctions with p-type ZnO by ZnTe Oxidation
机译:
ZnTe氧化与p型ZnO的ZnO基p-n结
作者:
Eliana Kaminska
;
Ewa Przezdziecka
;
Anna Piotrowska
;
Jacek Kossut
;
Elzbieta Dynowska
;
Witold Dobrowolski
;
Adam Barcz
;
Rafal Jakiela
;
Elzbieta Lusakowska
;
Jacek Ratajczak
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
43.
Fabrication of Nitrided Mask on GaAs surface and Its Machinability in STM lithography
机译:
砷化镓表面氮化掩模的制备及其在STM光刻中的可加工性
作者:
Yo Yamamoto
;
Sota Matsuoka
;
Toshiyuki Kondo
;
Takahiro Maruyama
;
Sigeya Naritsuka
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
44.
Growth of GaAs on (100) Ge and Vicinal Ge Surface by Migration Enhanced Epitaxy
机译:
GaAs通过迁移增强外延在(100)Ge和近邻Ge表面上生长
作者:
Hendrix Tanoto
;
Soon F. Yoon
;
Wan K. Loke
;
Eugene A. Fitzgerald
;
Carl Dohrman
;
Balasubramanian Narayanan
;
Chih H. Tung
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
45.
Growth of high quality Ge epitaxial layer on Si(100) substrate using ultra thin Si_(0.5)Ge_(0.5) buffer
机译:
使用超薄Si_(0.5)Ge_(0.5)缓冲层在Si(100)衬底上生长高质量的Ge外延层
作者:
Junko Nakatsuru
;
Hiroki Date
;
Supika Mashiro
;
Manabu Ikemoto
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
46.
Growth and Characterization of InGaNAs Quaternary Alloys for the Fabrication of Long Wavelength MSM Photodetectors on GaAs Substrates
机译:
在GaAs衬底上制备长波长MSM光电探测器的InGaNAs四元合金的生长和表征
作者:
Erie Higgins
;
Julian Noad
;
Francois Gouin
;
David Coulas
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
47.
High aspect ratio etching of GaSb/AlGaAsSb for photonic crystals
机译:
高纵横比蚀刻GaSb / AlGaAsSb用于光子晶体
作者:
Nilsen
;
Tron Arne
;
Martinez
;
Anthony
;
Bugge
;
Renato
;
Moscho
;
Aaron
;
Lester
;
Luke F.
;
Fimland
;
Bjorn-Ove
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
48.
Group Ⅰ Elements in ZnO
机译:
ZnO中的Ⅰ族元素
作者:
B.K. Meyer
;
N. Volbers
;
A. Zeuner
;
S. Lautenschlaeger
;
J. Sann
;
A.Hoffmann
;
U. Haboeck
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
49.
3.3 μm high brightness LEDs
机译:
3.3μm高亮度LED
作者:
B. A. Matveev
;
N. V. Zotova
;
N.D.Ilinskaya
;
S. A. Karandashev
;
M. A. Remennyi
;
N. M. Stus
;
Kovchavtsev A.P.
;
Kuryshev G.L.
;
Polovinkin V.G.
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
50.
Chemical Vapor Deposition and Defect Characterization of Silicon Carbide Epitaxial Films
机译:
碳化硅外延膜的化学气相沉积和缺陷表征
作者:
Yi Chen
;
Govindhan Dhanaraj
;
Hui Chen
;
William Vetter
;
Michael Dudley
;
Hui Zhang
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
51.
Colloidal quantum dot active layer electroluminescence in a solid GaN matrix
机译:
固体GaN基体中的胶体量子点活性层电致发光。
作者:
Jennifer Pagan
;
Edward Stokes
;
Kinnari Patel
;
Casey Burkhart
;
Mike Ahrens
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
52.
Composition modulation and local structure in strained diluted GaInNAs nitride alloy thin layers on GaAs substrates
机译:
GaAs衬底上应变稀释GaInNAs氮化合金薄层的成分调制和局部结构
作者:
Arnaud Metsue
;
Catherine Priester
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
53.
Comparison of Lasing Characteristics of GaInNAs Quantum Dot Lasers and GaInNAs Quantum Well Lasers
机译:
GaInNAs量子点激光器和GaInNAs量子阱激光器的发射特性比较
作者:
C. Y. Liu
;
S. F. Yoon
;
Z. Z. Sun
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
54.
Crystal structure and physical properties of GaSe single crystals annealed in sulfur atmosphere
机译:
硫气氛下退火的GaSe单晶的晶体结构和物理性质
作者:
Olga V. Voevodina
;
Aleksandr N. Morozov
;
Sergey Yu. Sarkisov
;
Yuri M. Andreev
;
Nils C. Fernelius
;
Jonathan T. Goldstein
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
55.
Concentration and Defect Dependent Ferromagnetism above Room Temperature in Co Doped ZnO Films Prepared by Metalorganic Decomposition
机译:
金属有机分解制备的Co掺杂ZnO薄膜在室温下的浓度和缺陷相关铁磁
作者:
P. Kharel
;
C. Sudakar
;
G. Lawes
;
R. Suryanarayanan
;
R. Naik
;
V. M. Naik
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
56.
Directional Growth of Si Nanowires on Insulating Films by Electric-Field-Assisted Metal-Induced Lateral Crystallization
机译:
电场辅助金属诱导的横向结晶在绝缘膜上定向生长Si纳米线
作者:
Hiroshi Kanno
;
Atsushi Kenjo
;
Taizoh Sadoh
;
Masanobu Miyao
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
57.
InAs/In_(0.15)Ga_(0.85)As_(1-x)N_x quantum dots for 1.5 μm laser applications
机译:
适用于1.5μm激光应用的InAs / In_(0.15)Ga_(0.85)As_(1-x)N_x量子点
作者:
Mirja Richter
;
Benjamin Damilano
;
Jean Massies
;
Jean-Yves Duboz
;
Andreas D. Wieck
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
58.
Epitaxial growth and characterization of BP on Si(100) substrate for use in c-GaN study
机译:
用于c-GaN研究的Si(100)衬底上BP的外延生长和表征
作者:
Tomohiko Takeuchi
;
Suzuka Nishimura
;
Tomoyuki Sakuma
;
Satoru Matsumoto
;
Kazutaka Terashima
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
59.
Electron emission mechanism of diamond characterized using combined XPS/UPS/FES
机译:
结合XPS / UPS / FES表征金刚石的电子发射机理
作者:
Hisato Yamaguchi
;
Takatoshi Yamada
;
Bradford B. Pate
;
Masato Kudo
;
Yuji Takakuwa
;
Ken Okano
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
60.
Electrical Properties of Diamond MISFETs with Submicron-Sized Gate on Boron-Doped (111) Surface
机译:
掺硼(111)表面上具有亚微米级栅极的Diamond MISFET的电性能
作者:
Takeyasu Saito
;
Kyung-ho Park
;
Kazuyuki Hirama
;
Hitoshi Umezawa
;
Mitsuya Satoh
;
Hiroshi Kawarada
;
Zhi-Quan Liu
;
Kazutaka Mitsuishi
;
Hideyo Okushi
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
61.
Evaluation on Defects of Er and Yb Implanted Al_(0.70)Ga_(0.30)As by Using Positron Annihilation Spectroscopy
机译:
正电子ni没光谱法评价Er和Yb注入的Al_(0.70)Ga_(0.30)As的缺陷
作者:
Tomoyuki Arai
;
Shin-ichiro Uekusa
;
Akira Uedono
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
62.
Evolution of the optical band gap in Titanium-based Oxy-(Hydroxy)-Fluorides series
机译:
钛基含氧-(氢)-氟化物系列中光学带隙的演化
作者:
Nicolas Penin
;
Nicolas Viadere
;
Damien Dambournet
;
Alain Tressaud
;
Alain Demourgues
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
63.
GaNAsBi Semiconductor Alloy with Temperature-Insensitive Bandgap
机译:
具有温度不敏感带隙的GaNAsBi半导体合金
作者:
M. Yoshimoto
;
W. Huang
;
G Feng
;
K. Oe
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
64.
Fabrication of planar SiON optical waveguide and its characterization
机译:
平面SiON光波导的制备及其表征
作者:
Yu-Jeong Cho
;
Yeong-Cheol Kim
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
65.
Growth of a-plane ZnO Thin Films on r-plane Sapphire by Plasma-assisted MBE
机译:
等离子体辅助MBE在r面蓝宝石上生长a面ZnO薄膜
作者:
J. Q. Xie
;
J. W. Dong
;
A. Osinsky
;
P. P. Chow
;
Y. W. Heo
;
D. P. Norton
;
S. J. Pearton
;
X. Y. Dong
;
C. Adelmann
;
C. J. Palmstrom
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
66.
Growth and characterization of semipolar InGaN/GaN multiple quantum wells and light-emitting diodes on (101 1) GaN templates
机译:
(101 1)GaN模板上半极性InGaN / GaN多量子阱和发光二极管的生长和表征
作者:
Arpan Chakraborty
;
T. Onuma
;
T. J. Baker
;
S. Keller
;
S. F. Chichibu
;
S. P. DenBaars
;
S. Nakamura
;
J. S. Speck
;
U. K. Mishra
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
67.
Improved Photoconductivity of ZnO by Ion Beam Bombardment
机译:
离子束轰击提高ZnO的光电导性
作者:
I. P. Wellenius
;
A. Dhawan
;
J. F. Muth
;
N. A. Guardala
;
J. L. Price
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
68.
Annealing Time Dependence on 1.5 μm Photoluminescence of Laser-Ablated β-FeSi_2
机译:
退火时间与激光烧蚀β-FeSi_2的1.5μm光致发光有关
作者:
Shin-ichiro Uekusa
;
Kunitoshi Aoki
;
Mohammad Zakir Hossain
;
Tomohiro Fukuda
;
Noboru Miura
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
69.
A Novel InSb Photodiode Infrared Sensor Operating at Room Temperature
机译:
在室温下工作的新型InSb光电二极管红外传感器
作者:
Koichiro Ueno
;
Edson G. Camargo
;
Yoshifumi Kawakami
;
Yoshitaka Moriyasu
;
Kazuhiro Nagase
;
Naohiro Kuze
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
70.
Characterization of a Dominant Electron Trap in GaNAs Using Deep-Level Transient Spectroscopy
机译:
用深层瞬态光谱法表征GaNAs中的主要电子陷阱
作者:
Steven W. Johnston
;
Sarah R. Kurtz
;
Richard S. Crandall
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
71.
Analysis of the Front Facet Temperature in Laser Diode With Non Absorbing Mirror
机译:
无吸收镜的激光二极管前表面温度分析
作者:
Tomasz Jan Ochalski
;
Dorota Pierscinska
;
Andrzej Malag
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
72.
Cathodoluminescence study of orientation patterned GaAs films for non linear optics
机译:
面向非线性光学的取向图案化砷化镓薄膜的阴极发光研究
作者:
M.Avella
;
J. Jimenez
;
D.Bliss
;
C. Lynch
;
D Weyburne
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
73.
Changes in Optical Properties of GaAsN During Annealing
机译:
GaAsN的光学性质在退火过程中的变化
作者:
Ting Liu
;
S. Chandril
;
E. D. Schires
;
N. Wu
;
Xinqi Chen
;
D. Korakakis
;
T. H. Myers
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
74.
Effect of Substrate Variation on Electrical and Magnetic Properties of Mn Doped ZnO Dilute Magnetic Semiconductors
机译:
衬底变化对Mn掺杂ZnO稀磁半导体的电磁性能的影响
作者:
S. Manchiraju
;
G. Mundada
;
T. Kehl
;
C. Vera
;
TVJ Rakeshnaag
;
R. Patel
;
P. Kahol
;
K. Ghosh
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
75.
High-speed high-quality epitaxial growth of N and B codoped 6H-SiC by closed sublimation method
机译:
密闭升华法高速高质量外延生长N和B共掺杂的6H-SiC
作者:
T. Maeda
;
Y. Nakamura
;
M. Iwaya
;
S. Kamiyama
;
H. Amano
;
I. Akasaki
;
T. Furusho
;
H. Kinoshita
;
M. Yoshimoto
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
76.
Silicon Thin Film Growth by Pulsed Plasma CVD Under Near-Atmospheric Pressure
机译:
近大气压下通过脉冲等离子体CVD生长硅薄膜
作者:
Hirotatsu Kitabatake
;
Maki Suemitsu
;
Setsuo Nakajima
;
Tsuyoshi Uehara
;
Yasutake Toyoshima
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
77.
Structural Studies of ZnO Calcined with Transition Metal Oxides
机译:
过渡金属氧化物煅烧ZnO的结构研究
作者:
Lori Noice
;
B. Seipel
;
Georg Grathoff
;
Amita Gupta
;
Peter Moeck
;
V. K. Rao
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
78.
Structural Defects in InSb Quantum Wells Grown on GaAs (001) Substrates via Al_(0.09)In_(0.91)Sb/GaSb-AlSb Strained Layer Superlattice/AlSb/GaSb Buffer Layers
机译:
通过Al_(0.09)In_(0.91)Sb / GaSb-AlSb应变层超晶格/ AlSb / GaSb缓冲层在GaAs(001)衬底上生长的InSb量子阱中的结构缺陷
作者:
T.D. Mishima
;
M. Edirisooriya
;
M.B. Santos
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
79.
Structure, Composition and Optoelectronic Properties of Small Pyramidal Semiconductor Quantum Dots of Ga, and In Atoms With As
机译:
Ga和在带有As的原子中的小金字塔形半导体量子点的结构,组成和光电性质
作者:
Liudmila A. Pozhar
;
Alan T. Yeates
;
Frank Szmulowicz
;
William C. Mitchel
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
80.
Structural and optical properties of Zn_(1-x)Co_xO and ZnCo_2O_4 thin films
机译:
Zn_(1-x)Co_xO和ZnCo_2O_4薄膜的结构和光学性质
作者:
K. Samanta
;
P. Bhattacharya
;
R.S. Katiyar
;
W. Iwamoto
;
R. R. Urbano
;
P.G. Pagliuso
;
C. Rettori
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
81.
Plasma-Assisted MOCVD Growth of ZnO Thin Films
机译:
等离子体辅助MOCVD生长ZnO薄膜
作者:
Maria Losurdo
;
Maria M. Giangregorio
;
Pio Capezzuto
;
Giovanni Bruno
;
Graziella Malandrino
;
Manuela Blandino
;
Ignazio L. Fragala
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
82.
ZnCdO/ZnMgO and ZnO/AlGaN Heterostructures for UV and Visible Light Emitters
机译:
用于紫外线和可见光发射器的ZnCdO / ZnMgO和ZnO / AlGaN异质结构
作者:
A. V. Osinsky
;
J. W. Dong
;
J. Q. Xie
;
B. Hertog
;
A. M. Dabiran
;
P. P.Chow
;
S. J. Pearton
;
D. P. Norton
;
D. C. Look
;
W. Schoenfeld
;
O. Lopatiuk
;
L. Chernyak
;
M. Cheung
;
A.N. Cartwright
;
M. Gerhold
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
83.
Structural, Optical, and Magnetic Behavior of in-situ doped, MOCVD - Grown Ga_(1-x)Mn_xN Epilayers and Heterostructures
机译:
原位掺杂MOCVD的结构,光学和磁行为-生长的Ga_(1-x)Mn_xN外延层和异质结构
作者:
M. H. Kane
;
W.E. Fenwick
;
M. Strassburg
;
A. Asghar
;
S. Gupta
;
H. Kang
;
N. Li
;
C. J. Summers
;
I. T. Ferguson
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
84.
Implantation and Activation of High Concentrations of Boron and Phosphorus in Germanium
机译:
锗中高浓度硼和磷的注入与活化
作者:
Yong Seok Suh
;
M. S. Carroll
;
R. A. Levy
;
G. Bisognin
;
D. De Salvador
;
M. A. Sahiner
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
85.
InGaAs/InGaAsP Quantum-Well Engineering for Multiple Regrowth MOVPE Process
机译:
用于多次再生MOVPE工艺的InGaAs / InGaAsP量子阱工程
作者:
Hans-Joerg Lohe
;
Emilio Gini
;
Riccardo Scollo
;
Franck Robin
;
Heinz Jaeckel
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
86.
Growth and Properties of Lattice Matched GaAsSbN Epilayer on GaAs for Solar Cell Applications
机译:
太阳能电池用GaAs上晶格匹配的GaAsSbN外延层的生长和性能
作者:
Sudhakar Bharatan
;
Shanthi Iyer
;
Kevin Matney
;
Ward J. Collis
;
Kalyan Nunna
;
Jia Li
;
Liangjin Wu
;
Kristopher McGuire
;
Laurie E. McNeil
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
87.
Manipulation of ZnO Nanowire by Low-Temperature Solution Approach
机译:
低温溶液法处理ZnO纳米线
作者:
Chia-Hsin Lin
;
Syh-Yuh Cheng
;
Ren-Jay Lin
;
Yi-Hui Wang
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
88.
On the nucleation of GaP/GaAs and the effect of buried stress fields
机译:
GaP / GaAs的成核及埋藏应力场的影响
作者:
J. G. Zelcovit
;
J. R. R. Bortoleto
;
J. Bettini
;
M. A. Cotta
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
89.
Optimization of Ga(In)NAs thin film growth by atomic hydrogen-assisted molecular beam epitaxy
机译:
原子氢辅助分子束外延优化Ga(In)NAs薄膜的生长
作者:
Yukiko Shimizu
;
Naoya Miyashita
;
Yoshitaka Okada
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
90.
Optical Properties of Zinc Oxide Quantum Dots Embedded Films by Metal Organic Chemical Vapor Deposition
机译:
金属有机化学气相沉积氧化锌量子点嵌入式薄膜的光学性质
作者:
S. T. Tan
;
X. W. Sun
;
X. H. Zhang
;
B. J. Chen
;
S. J. Chua
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
91.
Optimization of SiGe Graded Buffer Defectivity and Throughput by Means of High Growth Temperature and Pre-Threaded Substrates
机译:
通过高生长温度和预螺纹基板优化SiGe梯度缓冲液的缺陷率和通量
作者:
Matthew Erdtmann
;
Matthew T. Currie
;
Joseph C. Woicik
;
David Black
会议名称:
《Progress in Semiconductor Materials V -Novel Materials and Electronic and Optoelectronic Applications》
|
2005年
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