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Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International
Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International
召开年:
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Washington, DC
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条结果
1.
InAlAs/InGaAs double heterojunction bipolar transistors with acollector launcher structure for high-speed ECL applications
机译:
InAlAs / InGaAs双异质结双极晶体管具有高速ECL应用程序的收集器启动器结构
作者:
Yamada H.
;
Futatsugi T.
;
Shigematsu H.
;
Tomioka T.
;
Fujii T.
;
Yokayama N.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
2.
A new stacked cell structure for giga-bit DRAMs using verticalultra-thin SOI (DELTA) MOSFETs
机译:
使用垂直的千兆位DRAM的新堆叠单元结构超薄SOI(DELTA)MOSFET
作者:
Hisamoto D.
;
Kimura S.
;
Kaga T.
;
Nakagome Y.
;
Isoda M.
;
Nishida T.
;
Takeda E.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
3.
A full E-beam 0.25 μm bipolar technology with sub-25 ps ECL gatedelay
机译:
完整的电子束0.25μm双极技术,具有低于25 ps的ECL门延迟
作者:
Warnock J.
;
Cressler J.D.
;
Coane P.J.
;
Chiong K.N.
;
Rothwell M.E.
;
Jenkins K.
;
Burghartz J.N.
;
Petrillo E.
;
Mazzeo N.
;
Megdanis A.
;
Hohn F.J.
;
Thomson M.G.R.
;
Sun J.Y.C.
;
Tang D.D.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
4.
A 0.1 μm-gate elevated source and drain MOSFET fabricated byphase-shifted lithography
机译:
通过以下方法制造的0.1μm栅极升高的源极和漏极MOSFET相移光刻
作者:
Kimura S.
;
Noda H.
;
Hisamoto D.
;
Takeda E.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
5.
Design and development of a high performance gyro-TWT-amplifieroperating at a cyclotron harmonic frequency
机译:
高性能陀螺仪TWT放大器的设计与开发以回旋加速器谐波频率运行
作者:
Guo H.
;
Carmel Y.
;
Levush B.
;
Antonsen T.M. Jr.
;
Cai S.
;
Chen L.
;
Granatstein V.L.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
6.
High resolution optical lithography system using oblique incidenceillumination
机译:
利用斜入射的高分辨率光学光刻系统照明
作者:
Matsuo S.
;
Komatsu K.
;
Takeuchi Y.
;
Tamechika E.
;
Mimura Y.
;
Harada K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
7.
Optoelectronic integrated circuit grown on Si using selectiveregrowth by MOCVD
机译:
使用选择性生长在Si上的光电集成电路通过MOCVD再生
作者:
Egawa T.
;
Jimbo T.
;
Umeno M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
8.
p-n blue light emitting diodes using p-ZnTe/ZnS dopingsuperlattices
机译:
使用p-ZnTe / ZnS掺杂的p-n蓝色发光二极管超晶格
作者:
Yokogawa T.
;
Narusawa T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
9.
Diffusive base transport in narrow baseInP/Ga
0.47
In
0.53
As heterojunction bipolartransistors
机译:
狭窄基地的扩散基地运输InP / Ga
0.47 sub> In
0.53 sub>作为异质结双极晶体管
作者:
Ritter D.
;
Hamm R.A.
;
Feygenson A.
;
Panish M.B.
;
Chandrasekhar S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
10.
MICROX-an advanced silicon technology for microwave circuits up to
X
-band
机译:
MICROX-一种先进的硅技术,用于微波电路直至
X e1>带
作者:
Agarwal A.K.
;
Driver M.C.
;
Hanes M.H.
;
Hobgood H.M.
;
McMullin P.G.
;
Nathanson H.C.
;
OKeeffe T.W.
;
Smith T.J.
;
Szedon J.R.
;
Thomas R.N.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
11.
Experimental verification of the mechanism of hot-carrier-inducedphoton emission in n-MOSFET's with a CCD gate structure
机译:
热载流子诱导机理的实验验证具有CCD栅极结构的n-MOSFET中的光子发射
作者:
Wong H.-S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
12.
A reverse base current under high level injection and its influenceon BiCMOS circuit
机译:
高电平注入下的反向基极电流及其影响在BiCMOS电路上
作者:
Ishimaru K.
;
Matsuoka F.
;
Maeda T.
;
Satake H.
;
Fuse T.
;
Matsui M.
;
Urakawa Y.
;
Momose H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
13.
A new three-dimensional MOSFET gate-induced drain leakage effect innarrow deep submicron devices
机译:
新型3D MOSFET栅极栅致漏泄漏效应窄深亚微米装置
作者:
Geissler S.
;
Porth B.
;
Lasky J.
;
Johnson J.
;
Voldman S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
14.
A stacked capacitor with (Ba
x
Sr
1-x
)TiO
3
for 256M DRAM
机译:
具有(Ba
x sub> Sr
1-x sub>)TiO
3的堆叠电容器 sub>用于256M DRAM
作者:
Koyama K.
;
Sakuma T.
;
Yamamichi S.
;
Watanabe H.
;
Aoki H.
;
Ohya S.
;
Miyasaka Y.
;
Kikkawa T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
15.
Alternate metal virtual ground EPROM array implemented in a 0.8μm process for very high density applications
机译:
以0.8实现的备用金属虚拟接地EPROM阵列μm工艺,用于超高密度应用
作者:
Kazerounian R.
;
Bergemont A.
;
Roy A.
;
Wolstenholme G.
;
Irani R.
;
Shamay M.
;
Gaffur H.
;
Rezvani G.A.
;
Anderson L.
;
Haggag H.
;
Shacham E.
;
Kauk P.
;
Nielson P.
;
Kablanian A.
;
Chhor K.
;
Perry J.
;
Sethi R.
;
Eitan B.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
16.
A high-efficiency 59- to 64-GHz TWT for intersatellitecommunications
机译:
适用于星际的高效59-64 GHz TWT通讯
作者:
Wilson J.D.
;
Ramins P.
;
Force D.A.
;
Limburg H.C.
;
Tammaru I.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
17.
A T-gate overlapped LDD device with high circuit performance andhigh reliability
机译:
具有高电路性能的T型栅极重叠LDD器件高可靠性
作者:
Kurimoto K.
;
Odanaka S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
18.
A split wordline cell for 16 Mb SRAM using polysilicon sidewallcontacts
机译:
使用多晶硅侧壁的16 Mb SRAM分离字线单元联络人
作者:
Itabashi K.
;
Mizutani K.
;
Koga T.
;
Matumiya M.
;
Kawashima S.
;
Sakata M.
;
Ema T.
;
Yabu T.
;
Toyoda K.
;
Suzuki N.
;
Shimada H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
19.
SPOTEC-a sub-10-μm2 bipolar transistor structureusing fully self-aligned sidewall polycide base technology
机译:
SPOTEC-asub-10-μm 2 sup>双极晶体管结构使用完全自对准的侧壁多晶硅杀菌剂基础技术
作者:
Shiba T.
;
Tamaki Y.
;
Onai T.
;
Saitoh M.
;
Kure T.
;
Murai F.
;
Nakamura T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
20.
A new approach for simulation of circuit degradation due tohot-electron damage in NMOSFETs
机译:
模拟由于以下原因导致的电路退化的新方法NMOSFET中的热电子损伤
作者:
Quader K.N.
;
Li C.
;
Tu R.
;
Rosenbaum E.
;
Ko P.
;
Hu C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
21.
A new analytical model for low voltage hot electron taking Augerrecombination as well as phonon scattering process into account
机译:
低压热电子螺旋钻的新解析模型重组以及声子散射过程
作者:
Shirota R.
;
Yamaguchi T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
22.
Accurate modeling and numerical techniques in simulation ofimpact-ionization effects on BJT characteristics
机译:
仿真中的精确建模和数值技术电离对BJT特性的影响
作者:
Yu Z.
;
Chen D.
;
Goossens R.J.G.
;
Dutton R.W.
;
Vande Voorde P.
;
Oh S.-Y.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
23.
Simulational study for gate oxide breakdown mechanism due tonon-uniform electron current flow
机译:
栅氧化层击穿机理的模拟研究。电子电流不均匀
作者:
Kubota M.
;
Harafuji K.
;
Misaka A.
;
Yamano A.
;
Nakagawa H.
;
Nomura N.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
24.
Improvement of thermal uniformity of RTP-CVD equipment byapplication of simulation
机译:
通过以下方法提高RTP-CVD设备的热均匀性模拟的应用
作者:
Kersch A.
;
Schafer H.
;
Werner C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
25.
Low frequency noise and quantum transport in 0.1 μm n-MOSFETs
机译:
0.1μmn-MOSFET中的低频噪声和量子传输
作者:
Shi Z.M.
;
Mieville J.-P.
;
Barrier J.
;
Dutoit M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
26.
Enhanced performance of accumulation mode 0.5 μm CMOS/SOIoperated at 300 K and 85 K
机译:
累积模式性能增强,0.5μmCMOS / SOI在300 K和85 K下运行
作者:
Wang L.K.
;
Seliskar J.
;
Bucelot T.
;
Edenfeld A.
;
Haddad N.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
27.
Hot-carrier-resistant structure by Re-oxidized nitrided oxidesidewall for highly reliable and high performance LDD MOSFETs
机译:
重氧化氮化氧化物的抗热载流子结构用于高度可靠和高性能LDD MOSFET的侧壁
作者:
Kusunoki S.
;
Inuishi M.
;
Yamaguchi T.
;
Tsukamoto K.
;
Akasaka Y.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
28.
Very low temperature fabrication of poly-Si TFTs using infra-lowpressure chemical vapour deposited (ILPCVD) poly-crystalline Si films
机译:
使用红外线在极低温下制造多晶硅TFT高压化学气相沉积(ILPCVD)多晶硅膜
作者:
Miyasaka M.
;
Nakazawa T.
;
Ohshima H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
29.
High performance sub-half micron CMOS using rapid thermalprocessing
机译:
使用快速散热的高性能亚半微米CMOS处理中
作者:
Chapman R.A.
;
Kuehne J.W.
;
Ying P.S.-H.
;
Richardson W.F.
;
Paterson A.R.
;
Lane A.P.
;
Chen I.-C.
;
Velo L.
;
Blanton C.H.
;
Mosiehl M.M.
;
Paterson J.L.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
30.
1 GHz integrated poly-Si and -SiGe photoconductors with BiCMOScompatibility
机译:
具有BiCMOS的1 GHz集成多晶硅和-SiGe光电导体兼容性
作者:
Hai A.
;
Morse J.D.
;
Dutton R.W.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
31.
Novel pseudomorphic InP/InAs
0.6
P
0.4
quantum-well HEMT's
机译:
新型伪态InP / InAs
0.6 sub> P
0.4 sub>量子阱HEMT
作者:
Hong W.-P.
;
Hayes J.R.
;
Bhat R.
;
Lin P.S.D.
;
Nguyen C.
;
Lee H.P.
;
Yang D.
;
Bhattacharya P.K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
32.
Simulation of multiply connected current-voltage characteristics incharge injection transistors
机译:
多重连接电流-电压特性的仿真电荷注入晶体管
作者:
Pinto M.R.
;
Luryi S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
33.
Design and simulation of a 4 kV ESD protection circuit for a 0.8μm BiCMOS process
机译:
用于0.8的4 kV ESD保护电路的设计和仿真μmBiCMOS工艺
作者:
Chatterjee A.
;
Polgreen T.
;
Amerasekera A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
34.
A harmonic-balance-oriented modeling approach for microwaveelectron devices
机译:
面向谐波平衡的微波建模方法电子设备
作者:
Filicori F.
;
Monaco V.A.
;
Vannini G.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
35.
Mobility enhancement and quantum mechanical modeling in Ge
x
Si
1-x
channel MOSFETs from 90 to 300 K
机译:
Ge
x中的迁移率增强和量子力学建模从90到300 K的 sub> Si
1-x sub>沟道MOSFET
作者:
Garone P.M.
;
Venkataraman V.
;
Sturn J.C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
36.
Selective CVD tungsten as an alternative to blanket tungsten forsubmicron plug applications on VLSI circuits
机译:
选择性CVD钨可以替代毯式钨VLSI电路上的亚微米插头应用
作者:
Bradbury D.R.
;
Turner J.E.
;
Nauka K.
;
Chiu K.Y.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
37.
Thermal characterization of GaAs MESFETs by means of pulsedmeasurements
机译:
GaAs MESFET的脉冲热特性测量
作者:
Selmi L.
;
Ricco B.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
38.
Role of charge transport and trapping in the reliability ofsubmicron polysilicon thin film transistors
机译:
电荷传输和俘获在电池可靠性中的作用亚微米多晶硅薄膜晶体管
作者:
Libsch F.R.
;
Wong C.Y.
;
McFarland P.A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
39.
An isotropic best-fitting band model for electron and holetransport in silicon
机译:
电子和空穴的各向同性最佳拟合能带模型硅运输
作者:
Venturi F.
;
Abramo A.
;
Sangiorgi E.
;
Higman J.M.
;
Fiegna C.
;
Ricco B.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
40.
Determination of back interface state distribution in fullydepleted SOI MOSFETs
机译:
完全确定后接口状态分布耗尽型SOI MOSFET
作者:
Mayer D.C.
;
Cole R.C.
;
Pollack G.P.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
41.
A room temperature CVD technology for interlayer in deep-submicronmultilevel interconnection
机译:
用于深亚微米夹层的室温CVD技术多层互连
作者:
Homma T.
;
Murao Y.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
42.
A 0.35 μm CMOS process for fast random logic
机译:
0.35μmCMOS工艺用于快速随机逻辑
作者:
Guegan G.
;
Lerme M.
;
Deleonibus S.
;
Martin F.
;
Heitzmann M.
;
Tedesco S.
;
Guerin M.
;
Reimbold G.
;
Leroux C.
;
Jaffard C.
;
Belleville M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
43.
Evaluation of impact ionization modeling in the framework ofhydrodynamic equations
机译:
碰撞电离模型的评估。流体力学方程
作者:
Peifer H.J.
;
Meinerzhagen B.
;
Thoma R.
;
Engl W.L.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
44.
High performance 0.25 μm p-MOSFETs with silicon-germaniumchannels for 300 K and 77 K operation
机译:
具有硅锗的高性能0.25μmp-MOSFET300 K和77 K操作的通道
作者:
Kesan V.P.
;
Subbana S.
;
Restle P.J.
;
Tejwani M.J.
;
Aitken J.M.
;
Iyer S.S.
;
Ott J.A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
45.
Very lightly nitrided oxide gate MOSFETs for deep-sub-micron CMOSdevices
机译:
适用于深亚微米CMOS的非常轻氮化的氧化物栅极MOSFET设备
作者:
Momose H.S.
;
Morimoto T.
;
Ozawa Y.
;
Tsuchiaki M.
;
Ono M.
;
Yamabe K.
;
Iwai H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
46.
A 0.25 μm via plug process using selective CVD aluminium formultilevel interconnection
机译:
使用选择性CVD铝的0.25μm通孔塞工艺用于多层互连
作者:
Amazawa T.
;
Arita Y.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
47.
A high-speed silicon metal-semiconductor-metal photodetector fullyintegrable with (Bi)CMOS circuits
机译:
高速硅金属-半导体-金属光电探测器可与(Bi)CMOS电路集成
作者:
Bassous E.
;
Scheuermann M.
;
Kesan V.P.
;
Ritter M.
;
Halbout J.-M.
;
Iyer S.S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
48.
A 7 mask CMOS-technology utilizing liquid phase selective oxidedeposition
机译:
利用液相选择性氧化物的7掩模CMOS技术沉积
作者:
Kanba K.
;
Horiuchi T.
;
Homma T.
;
Murao Y.
;
Okumura K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
49.
A long-wavelength InGaAs/AlGaInAs MQW laser fabricated byZn-diffusion induced disordering
机译:
通过以下方法制造的长波长InGaAs / AlGaInAs MQW激光器锌扩散引起的无序
作者:
Uesugi F.
;
Goto K.
;
Takahashi S.
;
Nishiguchi H.
;
Takiguchi T.
;
Mihashi Y.
;
Omura E.
;
Murotani T.
;
Ikeda K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
50.
Development of a 250 kW,
X
-band, Accusweep magnetron
机译:
开发了一个250 kW
X e1>频带的Accusweep磁控管
作者:
Johnson A.C.
;
Gerard W.A.
;
Washburn R.A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
51.
A 5 V-only virtual ground flash cell with an auxiliary gate forhigh density and high speed application
机译:
具有辅助栅极的仅5 V虚拟接地闪存单元高密度高速应用
作者:
Yamauchi Y.
;
Tanaka K.
;
Shibayama H.
;
Miyake R.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
52.
Optimization of a source-side-injection FAMOS cell for flash EPROMapplications
机译:
用于闪存EPROM的源侧注入FAMOS单元的优化应用领域
作者:
Liu D.K.Y.
;
Kaya C.
;
Wong M.
;
Paterson J.
;
Shah P.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
53.
A self-convergence erasing scheme for a simple stacked gate flashEEPROM
机译:
用于简单堆叠栅极闪存的自收敛擦除方案EEPROM
作者:
Yamada S.
;
Suzuki T.
;
Obi E.
;
Oshikiri M.
;
Naruke K.
;
Wada M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
54.
A quarter-micron interconnection technology using Al-Si-Cu/TiNalternated layers
机译:
使用Al-Si-Cu / TiN的四分之一微米互连技术交替层
作者:
Kikkawa T.
;
Aoki H.
;
Ikawa E.
;
Drynan J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
55.
A DC to 20 GHz high gain monolithic InP/InGaAs HBT feedbackamplifier
机译:
DC至20 GHz高增益单片InP / InGaAs HBT反馈功放
作者:
Montgomery R.K.
;
Humphrey D.A.
;
Smith P.R.
;
Jalali B.
;
Nottenburg R.N.
;
Hamm R.A.
;
Panish M.P.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
56.
A physical lifetime prediction method for hot-carrier-stressedp-MOS transistors
机译:
热载流子的物理寿命预测方法p-MOS晶体管
作者:
Brox M.
;
Wohlrab E.
;
Weber W.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
57.
A bulk silicon dissolved wafer process for microelectromechanicalsystems
机译:
用于微机电的体硅溶解晶片工艺系统
作者:
Gianchandani Y.
;
Najafi K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
58.
A comparative study of the effect of dynamic stressing onhigh-field endurance and stability of reoxidized-nitrided, fluorinatedand conventional oxides
机译:
动态应力对结构的影响比较研究重氮化,氟化的高场耐久性和稳定性和常规氧化物
作者:
Liu Z.H.
;
Rosenbaum E.
;
Ko P.K.
;
Hu C.
;
Cheng Y.C.
;
Sodini C.G.
;
Gross B.J.
;
Ma T.P.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
59.
Viscoelasticity-based time-dependent stress model for a submicronaluminium interconnect
机译:
基于粘弹性的时变应力模型铝互连
作者:
Kuroda S.
;
Kawai Y.
;
Onoda H.
;
Nishi K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
60.
A 3-D BPSG flow simulation with temperature and impurityconcentration dependent viscosity model
机译:
具有温度和杂质的3-D BPSG流动模拟浓度依赖性粘度模型
作者:
Umimoto H.
;
Odanaka S.
;
Imai S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
61.
Simulation of two-dimensional implantation profiles with a largeconcentration range in crystalline silicon using an advanced Monte Carlomethod
机译:
大尺寸二维植入轮廓的仿真使用先进的蒙特卡洛晶体硅的浓度范围方法
作者:
Hobler G.
;
Potzl H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
62.
A new three dimensional IC fabrication technology, stacking thinfilm DUAL-CMOS layers
机译:
新型的3D IC制造技术,堆叠薄膜DUAL-CMOS层
作者:
Hayashi Y.
;
Oyama K.
;
Takahashi S.
;
Wada S.
;
Kajiyana K.
;
Koh R.
;
Kunio T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
63.
Ensemble Monte Carlo study of a novel heterojunction real-spacetransfer logic transistor (RSTLT)
机译:
蒙特卡罗合奏研究新型异质结实空间传输逻辑晶体管(RSTLT)
作者:
Tian H.
;
Kim K.W.
;
Littlejohn M.A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
64.
Evaluation of the influence of convective energy in HBTs using afully hydrodynamic model
机译:
使用A评估HBT中对流能的影响完全流体动力学模型
作者:
Benvenuti A.
;
Pinto M.R.
;
Coughran W.M. Jr.
;
Schryer N.L.
;
Naldi C.U.
;
Ghione G.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
65.
A large cell-ratio and low node leak 16 M-bit SRAM cell usingring-gate transistors
机译:
大单元比和低节点泄漏16 M位SRAM单元使用环栅晶体管
作者:
Yuzuriha K.
;
Kuriyama H.
;
Okada T.
;
Tsutsumi K.
;
Tokui A.
;
Sugahara K.
;
Higaki Y.
;
Nishimura T.
;
Kohno Y.
;
Tsubouchi N.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
66.
A surrounding isolation-merged plate electrode (SIMPLE) cell withcheckered layout for 256 Mbit DRAMs and beyond
机译:
周围的隔离合并极板电极(SIMPLE)256 Mbit DRAM及更高版本的方格布局
作者:
Ozaki T.
;
Nitayama A.
;
Sunouchi K.
;
Takato H.
;
Takedai S.
;
Yagishita A.
;
Hieda K.
;
Horiguchi F.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
67.
A 64 GHz Si bipolar transistor using in-situ phosphorus dopedpolysilicon emitter technology
机译:
使用原位磷掺杂的64 GHz Si双极晶体管多晶硅发射极技术
作者:
Nanba M.
;
Kobayashi T.
;
Uchino T.
;
Nakamura T.
;
Kondo M.
;
Tamaki Y.
;
Iijima S.
;
Kure T.
;
Tanabe M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
68.
A high-performance scalable submicron MOSFET for mixedanalog/digital applications
机译:
用于混合的高性能可扩展亚微米MOSFET模拟/数字应用
作者:
Su L.T.
;
Yasaitis J.A.
;
Antoniadis D.A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
69.
Extraction of the series resistances and effective channel lengthof GaAs MESFETs by means of electrical methods: a numerical study
机译:
提取串联电阻和有效沟道长度电气方法制备GaAs MESFET:数值研究
作者:
Menozzi R.
;
Selmi L.
;
Gandolfi P.
;
Ricco B.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
70.
A self-aligned pocket implantation (SPI) technology for 0,.μm-dual gate CMOS
机译:
一种自对准口袋植入(SPI)技术,用于0.。μm双栅CMOS
作者:
Hori A.
;
Kameyama S.
;
Segawa M.
;
Shimomura H.
;
Ogawa H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
71.
A low-temperature (les; 500° C) silicon-germanium MOS thin-filmtransistor technology for large-area electronics
机译:
低温(小于500°C)的硅锗MOS薄膜大面积电子产品的晶体管技术
作者:
King T.-J.
;
Saraswat K.C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
72.
High mobility poly-Si TFT by a new excimer laser annealing methodfor large area electronics
机译:
采用新型准分子激光退火方法的高迁移率多晶硅TFT用于大面积电子
作者:
Kuriyama H.
;
Kiyama S.
;
Noguchi S.
;
Kuwahara T.
;
Ishida S.
;
Nohda T.
;
Sano K.
;
Iwata H.
;
Tsuda S.
;
Nakano S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
73.
A sub-half micron partially gate-to-drain overlapped MOSFEToptimized for high performance and reliability
机译:
亚半微米部分栅漏重叠MOSFET针对高性能和可靠性进行了优化
作者:
Chen I.C.
;
Chapman R.A.
;
Teng C.W.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
74.
A 0.4 micron fully complementary BiCMOS technology for advancedlogic and microprocessor applications
机译:
0.4微米完全互补的BiCMOS技术可实现先进逻辑和微处理器应用
作者:
Sun S.W.
;
Tsui P.G.Y.
;
Somero B.M.
;
Klein J.
;
Pintchovski F.
;
Yeargain J.R.
;
Pappert B.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
75.
Paradoxical boron profile broadening caused by implantation througha screen oxide layer
机译:
通过注入引起的自相矛盾的硼分布展宽屏幕氧化层
作者:
Park C.
;
Klein K.M.
;
Tasch A.F.
;
Simonton R.B.
;
Lux G.E.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
76.
A novel multiple focus position control method by conjugatetwin-shifter phase shift lithography
机译:
一种新颖的共轭多焦点位置控制方法双移相移光刻
作者:
Ohtsuka H.
;
Onodera T.
;
Kuwahara K.
;
Taguchi T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
77.
Design criteria for high frequency, ultra high
di
/
dt
MAGTs
机译:
高频,超高
di e1> /
dt的设计标准 e1> MAGT
作者:
Shinohe T.
;
Yahata A.
;
Atsuta M.
;
Minami Y.
;
Ohashi N.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
78.
Highly reliable 2.5 nm Ta
2
O
5
capacitorprocess technology for 256 Mbit DRAMs
机译:
高度可靠的2.5 nm Ta
2 sub> O
5 sub>电容器256 Mb DRAM的处理技术
作者:
Kamiyama S.
;
Saeki T.
;
Mori H.
;
Numasawa Y.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
79.
On-chip picosecond time-domain measurement of silicon bipolartransistor characteristics using integrated GaAs photoconductive devices
机译:
双极硅片上皮秒时域测量使用集成GaAs光电导器件的晶体管特性
作者:
Anderson G.D.
;
Dutton R.W.
;
Morse J.D.
;
Mariella R.P. Jr.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
80.
Large-electromigration-resistance copper interconnect technologyfor sub-half-micron ULSI's
机译:
大抗电迁移铜互连技术用于半微米ULSI
作者:
Ohmi T.
;
Hoshi T.
;
Yoshie T.
;
Takewaki T.
;
Otsuki M.
;
Shibata T.
;
Nitta T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
81.
An intelligent MOS transistor featuring gate-level weighted sum andthreshold operations
机译:
具有栅极电平加权和和的智能MOS晶体管门槛操作
作者:
Shibata T.
;
Ohmi T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
82.
Use of electron-beam irradiation to study performance degradationof bipolar transistors after reverse-bias stress
机译:
使用电子束辐照研究性能下降反向偏置应力后双极晶体管的数量
作者:
Jenkins K.A.
;
Cressler J.D.
;
Warnock J.D.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
83.
Transverse-modulation klystron design considerations andpreliminary results
机译:
横向调制速调管设计注意事项和初步结果
作者:
Black W.M.
;
Velazco J.E.
;
Godlove T.F.
;
Mako F.M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
84.
Commercial CMOS fabricated integrated dynamic thermal scenesimulator
机译:
商业CMOS制作的集成动态热场景模拟器
作者:
Parameswaran M.
;
Chung R.
;
Gaitan M.
;
Johnson R.B.
;
Syrzycki M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
85.
140 GHz 0.1 μm gate-length pseudomorphicIn
0.52
Al
0.48
As/In
0.60
Ga
0.40
As/InP HEMT
机译:
140 GHz 0.1μm栅极长度假晶In
0.52 sub> Al
0.48 sub> As / In
0.60 sub> Ga
0.40 sub> As / InP HEMT
作者:
Tan K.L.
;
Streit D.C.
;
Chow P.D.
;
Dia R.M.
;
Han A.C.
;
Liu P.H.
;
Garske D.
;
Lai R.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
86.
1000 h stable operation of AlGaAs/GaAs light emitting diodes on Sisubstrates
机译:
Si上的AlGaAs / GaAs发光二极管可稳定运行1000小时基材
作者:
Yoshimi S.
;
Wada N.
;
Shao C.L.
;
Iwabu K.
;
Sakai S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
87.
Optimization of two-dimensional collector doping profiles forsubmicron BiCMOS technologies
机译:
二维集电极掺杂分布的优化亚微米BiCMOS技术
作者:
Taft R.C.
;
Hayden J.D.
;
Gunderson C.D.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
88.
The influence of InAs layer on the negative differential resistancebehaviors of the GaSb/AlSb/GaSb/AlSb/InAs double barrier resonantinterband tunneling structure
机译:
InAs层对负微分电阻的影响GaSb / AlSb / GaSb / AlSb / InAs双势垒共振的行为带间隧道结构
作者:
Houng M.P.
;
Wang Y.H.
;
Shen C.L.
;
Chen J.F.
;
Cho A.Y.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
89.
Characteristics of 680 nm-visible laser diode with MQB grown byMOCVD
机译:
MQB生长的680 nm可见激光二极管的特性。化学气相沉积
作者:
Motoda T.
;
Kadoiwa K.
;
Kimura T.
;
Nishimura T.
;
Uesugi F.
;
Kamizato T.
;
Arimoto S.
;
Tsugami M.
;
Mizuguchi K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
90.
High temperature operation (185° C) of InGaAs/GaAs/InGaP quantumwell lasers
机译:
InGaAs / GaAs / InGaP量子的高温操作(185°C)激光井
作者:
Chen Y.K.
;
Wu M.C.
;
Kuo J.M.
;
Chin M.A.
;
Sergent A.M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
91.
Electrodynamics and controlled spontaneous emission insemiconductor microcavity lasers
机译:
电动力学和受控自发发射。半导体微腔激光器
作者:
Deppe D.G.
;
Lei C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
92.
Ultra-low-noise fully ion-implanted GaAs-MESFET with Au/WSiNrefractory metal gate
机译:
具有Au / WSiN的超低噪声全离子注入GaAs-MESFET难熔金属门
作者:
Onodera K.
;
Nishimura K.
;
Sugitani S.
;
Asai K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
93.
High speed AlGaAs/GaAs complementary HBT technology realized bymultiple MBE growth and merged processing
机译:
高速AlGaAs / GaAs互补HBT技术的实现多个MBE增长和合并处理
作者:
Farley C.W.
;
Anderson R.J.
;
Bernescut R.B.
;
Grant R.W.
;
Chang M.F.
;
Wang K.C.
;
Nubling R.B.
;
Sheng N.H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
94.
NBTI-enhanced hot carrier damage in p-channel MOSFETs
机译:
NBTI增强了p沟道MOSFET中的热载流子损坏
作者:
Doyle B.S.
;
Fishbein B.J.
;
Mistry K.R.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
95.
`Microtips' fluorescent display
机译:
“ Microtips”荧光显示器
作者:
Vaudaine P.
;
Meyer R.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
96.
The impact of scaling on hot-carrier degradation and supply voltageof deep-submicron NMOS transistors
机译:
结垢对热载流子退化和电源电压的影响深亚微米NMOS晶体管的制造
作者:
Woerlee P.
;
Damink P.
;
van Dort M.
;
Juffermans C.
;
de Kort C.
;
Lifka H.
;
Manders W.
;
Paulzen G.
;
Pomp H.
;
Slotboom J.
;
Streutker G.
;
Woltjer R.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
97.
Hot-carrier effects in surface-channel PMOSFETs withBF
2
- or boron-implanted gates
机译:
具有以下特性的表面沟道PMOSFET中的热载流子效应BF
2 sub>-或硼注入门
作者:
Mogami T.
;
Johansson L.E.G.
;
Sakai I.
;
Fukuma M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
98.
MOMBE-grown carbon-doped base self-aligned AlGaAs/GaAsheterojunction bipolar transistors for microwave applications
机译:
MOMBE生长的碳掺杂碱自对准AlGaAs / GaAs微波应用的异质结双极晶体管
作者:
Ho W.J.
;
Wang N.L.
;
Pierson R.L.
;
Chang M.F.
;
Nubling R.B.
;
Higgins J.A.
;
Hersee S.
;
Ballingal J.
;
Komiak J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
99.
Accurate and efficient two-dimensional modeling of boronimplantation into single-crystal silicon
机译:
硼的精确高效二维建模注入单晶硅
作者:
Klein K.M.
;
Park C.
;
Yang S.-H.
;
Tasch A.F.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
100.
Quantum-mechanical threshold voltage shifts of MOSFETs caused byhigh levels of channel doping
机译:
MOSFET引起的量子力学阈值电压漂移高水平的通道掺杂
作者:
van Dort M.J.
;
Woerlee P.H.
;
Walker A.J.
;
Juffermans C.A.H.
;
Lifka H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
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