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Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International
Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International
召开年:
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Washington, DC
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-
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1.
High-performance 0.5 μm CMOS technology for logic LSIs withembedded large capacity SRAMs
机译:
具有逻辑LSI的高性能0.5μmCMOS技术嵌入式大容量SRAM
作者:
Norishima M.
;
Yoshinari H.
;
Hayashida H.
;
Eguchi T.
;
Kasai K.
;
Shinagawa H.
;
Matsunaga T.
;
Matsuno T.
;
Shibata H.
;
Toyoshima Y.
;
Hashimoto K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
2.
Narrow BF
2
implanted bases for 35 GHz/24 ps high-speedSi bipolar technology
机译:
窄BF
2 sub>植入式基座,用于35 GHz / 24 ps高速硅双极技术
作者:
Ehinger K.
;
Bertagnolli E.
;
Weng J.
;
Mahnkopf R.
;
Kopl R.
;
Klose H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
3.
Array-to-array transcription of optical information by means ofsurface light emitting thyristors
机译:
光学信息的阵列对阵列转录表面发光晶闸管
作者:
Heremans P.
;
Kuijk M.
;
Borghs G.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
4.
Physical basis and characteristics of light emission from quantizedplanar Ge structures
机译:
量子化发光的物理基础和特性平面锗结构
作者:
Venkatasubramanian R.
;
Malta D.P.
;
Timmons M.L.
;
Hutchby J.A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
5.
Novel photovoltaic transistor directly modulated by steady-statephotovoltage in asymmetric superlattices
机译:
稳态直接调制的新型光伏晶体管不对称超晶格中的光电压
作者:
Liu C.T.
;
Liu J.M.
;
Cho A.Y.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
6.
An improved analytical LDD-MOSFET model for digital and analogcircuit simulation for all channel lengths down to deep-submicron
机译:
用于数字和模拟的改进的分析型LDD-MOSFET模型所有通道长度直至深亚微米的电路仿真
作者:
Lemaitre B.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
7.
An advanced 0.4 μm BiCMOS technology for high performance ASICapplications
机译:
先进的0.4μmBiCMOS技术用于高性能ASIC应用领域
作者:
Kirchgessner J.
;
Teplik J.
;
Ilderem V.
;
Morgan D.
;
Parmar R.
;
Wilson S.R.
;
Freeman J.
;
Tracy C.
;
Cosentino S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
8.
The effect of metallic impurities on the dielectric breakdown ofoxides and some new ways of avoiding them
机译:
金属杂质对硅的介电击穿的影响氧化物和避免它们的一些新方法
作者:
Verhaverbeke S.
;
Meuris M.
;
Mertens P.W.
;
Heyns M.M.
;
Philipossian A.
;
Graf D.
;
Schnegg A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
9.
High output conductance of InAlAs/InGaAs/InP MODFET due to weakimpact ionization in the InGaAs channel
机译:
InAlAs / InGaAs / InP MODFET的输出电导由于弱而高InGaAs通道中的碰撞电离
作者:
Zhou G.-G.
;
Fischer-Colbrie A.
;
Miller J.
;
Pao Y.-C.
;
Hughes B.
;
Studebaker L.
;
Harris J.S. Jr.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
10.
Silicon integrated injection logic operating above 350° C
机译:
硅集成注入逻辑可在350°C以上的温度下运行
作者:
Sunayama T.
;
Kawakami H.
;
Migitaka M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
11.
Switching behavior and current handling performance of MCT:IGBTcell ensembles
机译:
MCT:IGBT的开关行为和电流处理性能细胞团
作者:
Lendenmann H.
;
Dettmer H.
;
Fichtner W.
;
Baliga B.J.
;
Bauer F.
;
Stockmeier T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
12.
Monte Carlo/drift-diffusion coupling: non-equilibrium transport indeep submicron MOSFETs
机译:
蒙特卡洛/漂移扩散耦合:非平衡输运深亚微米MOSFET
作者:
Dubois E.
;
Bricout P.H.
;
Fauquembergue R.
;
Collard D.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
13.
Temperature dependence of collector breakdown voltage and outputconductance in HBT's with AlGaAs, GaAs, InP, and InGaAs collectors
机译:
集电极击穿电压和输出的温度依赖性AlGaAs,GaAs,InP和InGaAs集电极在HBT中的电导
作者:
Malik R.J.
;
Feygenson A.
;
Ritter D.
;
Hamm R.A.
;
Panish M.B.
;
Nagle J.
;
Alavi K.
;
Cho A.Y.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
14.
p+ polysilicon gate P-MOSFETs using BCl implantation
机译:
使用BCl注入的p + sup>多晶硅栅极P-MOSFET
作者:
Oikawa K.
;
Ando S.
;
Ando N.
;
Horie H.
;
Toda Y.
;
Tanaka T.
;
Hijiya S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
15.
SPICE models and applications of superconducting FETs andhigher-voltage Josephson gates
机译:
SPICE模型和超导FET的应用高压约瑟夫森门
作者:
Ghoshal U.
;
van Duzer T.
;
Kroger H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
16.
Channel length and width effects on NMOS transistor degradationunder constant positive gate-voltage stressing
机译:
沟道长度和宽度对NMOS晶体管退化的影响在恒定的正栅极电压应力下
作者:
Wu K.
;
Pan S.
;
Chin D.
;
Shaw J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
17.
Process-optimization for sub-30 ps BiCMOS technologies for mixedECL/CMOS applications
机译:
低于30 ps的BiCMOS混合工艺的工艺优化ECL / CMOS应用
作者:
Klose H.
;
Kerber M.
;
Meister T.
;
Ohnemus M.
;
Kopl R.
;
Weger P.
;
Weng J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
18.
Advantages of CVD stacked gate oxide for robust 0.5 μmtransistors
机译:
CVD叠层栅氧化物具有耐用的0.5μm的优点晶体管
作者:
Hsing-Huang Tseng
;
Tobin P.J.
;
Hayde J.D.
;
Chang K.-M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
19.
Present and future trend of electron device technology in flatpanel display
机译:
平板电子器件技术的现状与未来趋势面板展示
作者:
Uchida T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
20.
Realization and performance of quarter micron feature sizeInGaAs/InP MSM photodetector
机译:
四分之一微米特征尺寸的实现和性能InGaAs / InP MSM光电探测器
作者:
Riaziat M.L.
;
Pao Y.C.
;
Yuen C.
;
Marsland R.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
21.
High speed Si PBT with buried single crystal silicide electrode byMBE
机译:
高速Si PBT掩埋单晶硅化物电极的研究。MBE
作者:
Ohshima T.
;
Nakamura N.
;
Nakagawa K.
;
Yamaguchi K.
;
Miyao M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
22.
20 Db/s DCFL D-flip flop and 2:1 selector ICs using pseudomorphicinverted HEMTs
机译:
使用伪态的20 Db / s DCFL D触发器和2:1选择器IC倒置HEMT
作者:
Shikata M.
;
Tanaka K.
;
Tsuji H.
;
Fujishiro H.I.
;
Nishi S.
;
Yamagishi C.
;
Akiyama M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
23.
Physical modelling of non-invasive silicon temperature measurementby infrared absorption
机译:
无创硅温度测量的物理建模通过红外吸收
作者:
Sturm J.C.
;
Reaves C.M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
24.
Analysis of p+ poly Si double-gate thin-film SOI MOSFETs
机译:
p + sup>多晶硅双栅薄膜SOI MOSFET的分析
作者:
Tanaka T.
;
Horie H.
;
Ando S.
;
Hijiya S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
25.
0.1-μm-gate, ultrathin-film CMOS devices using SIMOX substratewith 80-nm-thick buried oxide layer
机译:
使用SIMOX基板的0.1μm栅极超薄膜CMOS器件具有80纳米厚的掩埋氧化物层
作者:
Omura Y.
;
Nakashima S.
;
Izumi K.
;
Ishii T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
26.
Gate-capacitance characteristics of deep-submicron LATID(large-angle-tilt implanted drain) MOSFETs
机译:
深亚微米LATID的栅极电容特性(大角度倾斜注入漏极)MOSFET
作者:
Hori T.
;
Odake Y.
;
Hirase J.
;
Yasui T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
27.
Relation between hot-carrier light emission and kink effect inpoly-Si thin film transistors
机译:
热载流子发光与扭结效应的关系。多晶硅薄膜晶体管
作者:
Koyanagi M.
;
Kurino H.
;
Hashimoto T.
;
Mori H.
;
Hata K.
;
Hiruma Y.
;
Fujimori T.
;
Wu I.-W.
;
Lewis A.G.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
28.
One dimensional electron transport and drain current quantizationat 77 K in InAs heterojunction quantum wires
机译:
一维电子传输和漏极电流量化InAs异质结量子线中的77 K时
作者:
Yoh K.
;
Taniguchi H.
;
Kiyomi K.
;
Inoue M.
;
Sakamoto R.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
29.
1.9 picosecond optical temporal analyzer using 1.2 picosecondphotodetector and gate
机译:
1.9皮秒光学时间分析仪,使用1.2皮秒光电探测器和门
作者:
Chen Y.
;
Williamson S.L.
;
Brock T.
;
Smith F.W.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
30.
Profile scaling constraints for ion-implanted and epitaxial bipolartechnology designed for 77 K operation
机译:
离子注入和外延双极的轮廓缩放约束专为77 K操作而设计的技术
作者:
Cressler J.D.
;
Crabbe E.F.
;
Comfort J.H.
;
Warnock J.
;
Jenkins K.A.
;
Stork J.M.C.
;
Sun J.Y.-C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
31.
Single crystal emitter gap for epitaxial Si- and SiGe-basetransistors
机译:
外延硅基和硅锗基的单晶发射极间隙晶体管
作者:
Comfort J.H.
;
Crabbe E.F.
;
Cressler J.D.
;
Lee W.
;
Sun J.Y.-C.
;
Malinowski J.
;
DAgostino M.
;
Burghartz J.N.
;
Stork J.M.C.
;
Meyerson B.S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
32.
Analytical modeling of current gain-Earth voltage products in Si/Si
1-x
Ge
x
/Si heterojunction bipolar transistors
机译:
Si / Si中电流增益-地电压乘积的解析模型
1-x sub> Ge
x sub> / Si异质结双极晶体管
作者:
Prinz E.J.
;
Sturm J.C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
33.
1040×1040 element PtSi Schottky-barrier IR image sensor
机译:
1040×1040元素PtSi肖特基势垒红外图像传感器
作者:
Yutani N.
;
Yagi H.
;
Kimata M.
;
Nakanishi J.
;
Nagayoshi S.
;
Tubouchi N.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
34.
Versatile bistable optical switches and latching optical logicusing integrated photothyristors and surface-emitting lasers
机译:
多功能双稳态光开关和锁存光逻辑使用集成的光电晶闸管和表面发射激光器
作者:
Zhou P.
;
Cheng J.
;
Schaus C.F.
;
Sun S.Z.
;
Hains C.
;
Myers D.R.
;
Vawter G.A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
35.
Floating-body problems and benefits in fully depleted SOI CMOS VLSIcircuits
机译:
完全耗尽的SOI CMOS VLSI中的浮体问题和好处电路
作者:
Fossum J.G.
;
Yeh P.-C.
;
Choi J.Y.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
36.
State-of-the-art low noise performance of 94 GHz monolithicamplifiers using 0.1 μm InGaAs/GaAs pseudomorphic HEMTtechnology
机译:
最新的94 GHz单片低噪声性能使用0.1μmInGaAs / GaAs伪晶HEMT的放大器技术
作者:
Wang H.
;
Tan K.
;
Dow G.S.
;
Berenz J.
;
Garske D.
;
Rodgers P.
;
Hayashibara G.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
37.
Advanced IC fabrication technology using reliable, small-size, andhigh-speed AlGaAs/GaAs HBTs
机译:
先进的IC制造技术,使用可靠的小尺寸和高速AlGaAs / GaAs HBT
作者:
Nittono T.
;
Nagata K.
;
Yamauchi Y.
;
Makimura T.
;
Ito H.
;
Nakajima O.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
38.
High-temperature superconducting resonator-stabilized coplanarhybrid-integrated oscillator at 6.5 GHz
机译:
高温超导谐振腔稳定共面6.5 GHz的混合集成振荡器
作者:
Klieber R.
;
Ramisch R.
;
Weigel R.
;
Schwab M.
;
Dill R.
;
Valenzuela A.A.
;
Russer P.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
39.
Electrothermal simulation tools for analysis and design of ESDprotection devices NMOSFET
机译:
用于ESD分析和设计的电热仿真工具保护装置NMOSFET
作者:
Mayaram K.
;
Chern J.-H.
;
Arledge L.
;
Yang P.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
40.
Combined reactor, wafer, and feature scale simulation of selectivesilicon epitaxial growth
机译:
组合反应器,晶片和选择性的特征尺度模拟硅外延生长
作者:
Yu T.-K.
;
Park S.-K.
;
Fitch J.
;
Orlowski M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
41.
Application of AlGaAs/GaAs ballistic collection transistors tomultiplexer and preamplifier circuits
机译:
AlGaAs / GaAs弹道收集晶体管在半导体中的应用多路复用器和前置放大器电路
作者:
Matsuoka Y.
;
Yamahata S.
;
Ichino H.
;
Sano E.
;
Ishibashi T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
42.
Tera-hertz GaAs metal-semiconductor-metal photodetectors withnanoscale finger spacing and width
机译:
太赫兹GaAs金属半导体金属光电探测器,具有纳米级手指间距和宽度
作者:
Chou S.Y.
;
Liu Y.
;
Fischer P.B.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
43.
Hybrid Boltzmann transport-Schrodinger equation model for quantumwell injection transit (QWITT) diodes
机译:
量子混合玻尔兹曼输运-薛定inger方程模型阱注入传输(QWITT)二极管
作者:
Gullapalli K.K.
;
Miller D.R.
;
Neikirk D.P.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
44.
Characterization of devices fabricated in films grown at lowtemperature by atmospheric pressure CVD
机译:
用低速生长的薄膜制造的器件的特性大气压力化学气相沉积温度
作者:
Sedgwick T.O.
;
Kesan V.P.
;
Agnello P.D.
;
Grutzmacher D.A.
;
Nguyen-Ngoc D.
;
Iyer S.S.
;
Meyer D.J.
;
Ferro A.P.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
45.
Quarter-micron selective-epitaxial-silicon refilled trench (SRT)isolation technology with substrate shield
机译:
四分之一微米选择性外延硅填充沟槽(SRT)带基板屏蔽的隔离技术
作者:
Aoki M.
;
Takato H.
;
Samata S.
;
Numano M.
;
Yagishita A.
;
Hieda K.
;
Nitayama A.
;
Horiguchi F.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
46.
Lateral p-i-n photodetectors with 18 GHz bandwidth at 1.3 μmwavelength and small bias voltages
机译:
横向p-i-n光电探测器,带宽1.3 GHz,带宽18 GHz波长和小的偏置电压
作者:
Tiwari S.
;
Burroughes J.
;
Milshtein M.S.
;
Tischler M.A.
;
Wright S.L.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
47.
Gate capacitance characteristics of gate N- overlap LDDtransistor with high performance and high reliability
机译:
栅极N - sup>的栅极电容特性与LDD重叠高性能和高可靠性的晶体管
作者:
Inuishi M.
;
Mitsui K.
;
Kusunoki S.
;
Oda H.
;
Tsukamoto K.
;
Akasaka Y.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
48.
High-power, high-energy, and high-efficiency, phase-lockedmagnetron studies
机译:
大功率,高能量,高效率,锁相磁控管研究
作者:
Treado T.A.
;
Brown P.D.
;
Bolton R.A.
;
Hansen T.
;
Eppley K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
49.
Low temperature CMOS self-aligned poly-Si TFTs and circuit schemeutilizing new ion doping and masking technique
机译:
低温CMOS自对准多晶硅TFT和电路方案利用新的离子掺杂和掩膜技术
作者:
Inoue S.
;
Matsuo M.
;
Hashizume T.
;
Ishiguro H.
;
Nakazawa T.
;
Ohshima H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
50.
Novel 0.2 μm i-lithography by phase-shifting on the substrate(POST)
机译:
通过在基板上进行相移实现新型的0.2μmi光刻(开机自检)
作者:
Tabuchi H.
;
Taniguchi T.
;
Moriwaki H.
;
Tanigawa M.
;
Uda K.
;
Sakiyama K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
51.
Hot-carrier light emission in SOI MOSFET simulated with coupledMonte Carlo and energy transport analysis
机译:
耦合模拟的SOI MOSFET热载流子发射蒙特卡洛和能量传输分析
作者:
Koyanagi M.
;
Kurino H.
;
Kiba H.
;
Mori H.
;
Hashimoto T.
;
Hiruma Y.
;
Fujimori T.
;
Yamaguchi Y.
;
Nishimura T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
52.
Delta-doped complementary heterostructure FETs with high Y-valuepseudomorphic In
1
Ga
1-y
As channels forultra-low-power digital IC applications
机译:
Y值高的Delta掺杂互补异质结FET伪In
1 sub> Ga
1-y sub>作为通道超低功耗数字IC应用
作者:
Grider D.E.
;
Ruden P.P.
;
Nohava J.C.
;
Mactaggart I.R.
;
Stronczer J.J.
;
Nohava T.E.
;
Swirhun S.S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
53.
An integrated electronic shutter for back-illuminatedcharge-coupled devices
机译:
集成电子快门用于背照式电荷耦合器件
作者:
Reich R.K.
;
Mountain R.W.
;
McGonagle W.H.
;
Huang C.M.
;
Twichell J.C.
;
Kosicki B.B.
;
Savoye E.D.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
54.
Depth resolved carrier lifetime measurements of proton irradiatedthyristors
机译:
质子辐照深度解析的载流子寿命测量晶闸管
作者:
Linnros J.
;
Norlin P.
;
Hallen A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
55.
SOI device structures implementing 650 V high voltage outputdevices on VLSIs
机译:
实现650 V高压输出的SOI器件结构VLSI上的设备
作者:
Yasuhara N.
;
Nakagawa A.
;
Furukawa K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
56.
Computation of drain and substrate currents in ultra-short-channelnMOSFETs using the hydrodynamic model
机译:
超短通道中漏极和衬底电流的计算使用流体动力学模型的nMOSFET
作者:
Rahmat K.
;
White J.
;
Antoniadis D.A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1991. IEDM '91. Technical Digest., International》
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