摘要:在四种可能的同掺杂体系双掺杂铌酸锂晶体(LiNbO<,3>:Fe:Mn,LiNbO<,3>:Ce:Mn,LiNbO<,3>:Ce:Cu和LiNbO<,3>:Fe:Cu)中,对非挥发全息存储过程中的相干散射噪声进行了实验观察.对比结果表明非挥发全息记录过程对相干散射噪声的形成有一定的压制作用,并且这种压制作用取决于双掺杂铌酸锂晶体中深浅两个掺杂能级中心的复合常数对记录过程中信号光栅和散射光栅的动态竞争的影响关系.较小的浅能级复合常数和较大的深能级复合常数有利于信号光栅的放大和散射噪声的压制.同时晶体本身的最初散射源对散射噪声的放大也有一定的影响,较小的散射源容易形成低散射噪声的全息记录.结论是四种晶体中,LiNbO<,3>:Ce:Cu中深浅掺杂能级中心的复合常数以及最初的散射源非常适合高衍射效率和低散射噪声的非挥发全息记录.同时基于双中心物质波方程进行了理论模拟验证.该研究能够通过材料参数本身的优化解决非挥发全息记录中的散射噪声问题,对提出和发展新的高性能非挥发全息记录材料掺杂体系有指导意义.