首页> 外文期刊>Very Large Scale Integration (VLSI) Systems, IEEE Transactions on >Memristive Computational Memory Using Memristor Overwrite Logic (MOL)
【24h】

Memristive Computational Memory Using Memristor Overwrite Logic (MOL)

机译:Memristive计算内存使用Memristor覆盖逻辑(MOL)

获取原文
获取原文并翻译 | 示例

摘要

In this article, we present a novel logic design style, namely, memristor overwrite logic (MOL), associated with an original MOL-based computational memory. MOL relies on a fully digital representation of memristor and can operate with different memristive device technologies. Its integration in memristive crossbar arrays and computational memories allows the execution of bit and vector-level primitive logic operations in two computational steps at most. Promising features and performances are demonstrated through the implementation of $N$ -bit full addition using the proposed MOL-based computational memory.
机译:在本文中,我们提出了一种新颖的逻辑设计风格,即忆阻逻辑(MOL),与原始的基于MOL的计算存储器相关联。摩尔依赖于忆阻器的完全数字表示,并且可以用不同的忆阻器件技术操作。其在Memristive Crossbar阵列和计算存储器中的集成允许在两个计算步骤中执行位和矢量级原始逻辑操作。通过实施来证明有希望的特征和表演<内联公式XMLNS:MML =“http://www.w3.org/1998/math/mathml”xmlns:xlink =“http://www.w3.org/1999/xlink”> $ N $ - 使用所提出的基于Mol的计算存储器的完全添加。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号