机译:使用设备状态库提高TCAD混合模式仿真的性能
Department of Electrical Engineering, Princeton University, Princeton, NJ, USA;
Department of Electrical Engineering, Princeton University, Princeton, NJ, USA;
Mathematical model; Integrated circuit modeling; Physics; Central Processing Unit; Computational modeling; Convergence; Performance evaluation;
机译:用GE / SIGE / SI杂连接和杂栅电介质进行掺杂较少TFET的TCAD模拟,用于增强装置性能
机译:HVIC中TSV位置对CMOS工作的影响:混合模式TCAD仿真研究
机译:带有硅基合金应力源和应力CESL的应变Si CMOS器件的3D TCAD模拟
机译:保护装置之间相互关系的混合模式测试中的多个骤回事件的瞬态3-D TCAD仿真
机译:使用TCAD仿真探索硅/硅锗量子阱薄膜热电器件。
机译:用TCAD工具对生物传感设备的ISFET结构进行数值模拟
机译:在下一代TCAD工具的新仿真方法上呼吁针对电子设备上的IEEE交易的报纸