机译:FinFET技术中全开门缺陷的建模和可检测性
National Institute for Astrophysics Optics and Electronics (INAOE) Puebla México;
Engineering Department Panamerica University Aguascalientes Mexico;
Laboratory of Informatics Robotics and Microelectronics of Montpellier (LIRMM) Montpellier France;
Logic gates; FinFETs; Topology; Metals; Fabrication; CMOS technology;
机译:栅极氧化物短缺模型在FinFET中
机译:基于建模和仿真的量子FinFET和三栅极FinFET的比较分析
机译:基于建模与仿真的量子FINFET对比分析和曲折
机译:减少用于先进平面CMOS和FinFET技术的替代金属栅极工艺和线中触点中的“暗栅极”缺陷
机译:基于双栅极CMOS FinFET技术的超低功耗RF接收器。
机译:双栅极FinFET的3D建模
机译:基于FinFET 3D结构的氧化物短缺缺陷分析和故障建模