第一原理計算に基づく反応性イオンエッチングプロセスの設計: 始めの一歩

摘要

We propose an intricate method of Reactive Ion Etching (RIE) process design for transition-metal (TM) materials using ab-initio calculations. The TM materials are inert in dry etching processes since volatile etching by-products cannot be formed easily. However, to achieve new high-performance memories based on the TM materials, a selective dry etching technique such as RIE is eagerly required instead of the conventional ion milling method. In this work, we would like to introduce our scenario of the RIE design for TM materials using the results of CoFe as an example.%フラッシュメモリなどの既存の不揮発性メモリの想定性能 を大きく超え，超大容量，超低消費電力，超高速，低コスト という全ての条件を満足するユニバーサルメモリの開発が， 現在求められている．その筆頭候補として，強誘電体ランダ ムアクセスメモリ（FeRAM）が既に市場に出回っており， また，相変化RAM（PRAM）も2008年内の市場投入が発表 されているが，更なる高性能化が要求されている．