半球形阻止電界型エネルギー分析器を用いたシリコン電界放出電子源のエネルギー分析

摘要

近年半導体デバイスの微細化が進むにつれ　イオン注入技rn術には極度に厳しい条件が求められている．イオンビームのrn試料への入射角度のばらつきは1%以下であることが求めらrnれており，その上大電流かつ低エネルギーでイオン注入を行rnうことが必要である．このような条件下ではイオンビームはrnイオンビーム自身のもつ空間電荷により発散する．%Energy distribution of n-type silicon field emitter array (Si-FEA) was measured with a hemispherical collector. Adjusting the position, the energy spread and the peak shift of the FEA were lower than those without alignment. The peak shift and wide energy spread became larger with an increase in the extraction voltage or emission current. Some possible reasons of the peak shift and energy spread were discussed.