スパッタリングシミュレーションにおける分子動力学法とモンテカルロ法の比較

摘要

低エネルギーのタングステン自己スパッタリングを例に取rnり，BCAコードとMDコードによるシミュレーションを行rnい，表面モデル依存性を調べた．MD計算では多結晶標的をrn想定してランダム表面モデルを用いた．多体効果を考慮したrn場合，表面への付与エネルギーが増加し，表面すれすれ入射rnでスパッタ収量が増加した．また低エネルギースパッタリンrnグでは，入射イオンが局所的な表面原子の集団を1つの塊rnとして感じ取り，その局所表面法線がスパッタリングに影響rnするため，粗い表面においてランダムな局所法線方向の影響rnで入射角依存性が減少した．