高周波プラズマ支援スパッタリング法によるインジウムースズ酸化物（ITO）薄膜の構造および物性制御

摘要

高周波プラズマ支援パルススパッタリングで成膜したrnITO薄膜の構造および物性に関して検討を行った．基板温rn度が室温であっても，高周波プラズマ支援を行うことで結晶rn化度の高いITO薄膜を得ることが出来た．また，高周波プrnラズマ支援を行うことで，ITO薄膜の抵抗率を下げることrnが出来た．これは，高周波プラズマ支援の効果でITO薄膜rnの膜質が改善されたために，キャリア濃度が増加してもキャrnリア移動度が低下しにくいためである．