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ガスバリア膜用新規PECVD材料TG-41の開発

机译:研发用于阻气膜的新型PECVD材料TG-41

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摘要

ガスバリァ膜は水蒸気や酸素等のガス透過が非常に少ない事を特徴とし、その特性により主に食品包装等に用いられている。また、今後太陽電池や電子デバィス、有機発光ダイオード(OLED)デバイスなどの保護層としての応用が期待されている。%We have developed a novel precursor, TG-41, for high gas barrier film deposition by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD). This precursor is a liquid organosilane compound which shows high vapor pressure of 100 Torr at 86℃. Colorless and transparent gas barrier films were obtained from TG-41 by PECVD process, and furthermore, 800 nm-thick single gas barrier layer deposited on polyethylene naphthalate substrate showed very low water vapor transmission rate of 2.0 × 10~(-4) g/m~2/day or lower under 40℃, 90%RH condition measured by gas chromatography method.
机译:阻气膜的特征在于水蒸气和氧气的气体渗透率非常低,并且由于其特性而主要用于食品包装等。另外,期望将来将其用作太阳能电池,电子设备和有机发光二极管(OLED)设备的保护层。 %我们开发了一种新型前驱物TG-41,用于通过等离子增强化学气相沉积(PECVD)进行高阻气膜沉积。该前体是一种液体有机硅烷化合物,在86°C时显示100 Torr的高蒸气压。 TG-41是通过PECVD工艺获得的阻气膜,此外,沉积在聚萘二甲酸乙二醇酯基底上的800 nm厚的单个阻气层显示出非常低的水蒸气透过率,为2.0×10〜(-4)g / m〜2 /天或更低的条件在40℃,90%RH条件下通过气相色谱法测得。

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